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IPD060N03LG 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/29 18:30:45 查看 閱讀�32

IPD060N03LG是一款由Infineon(英飛凌)生�(chǎn)的MOSFET芯片。該器件屬于P溝道增強(qiáng)型MOSFET,主要用于電源管理、負(fù)載切換和開關(guān)�(yīng)�。其�(shè)�(jì)具有低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度以及出色的熱性能,能夠顯著提升系�(tǒng)的效率與可靠��
  該芯片采用TO-252 (DPAK) 封裝形式,使其適合在緊湊型電路中使用。IPD060N03LG以其�(yōu)秀的電氣特性和�(wěn)定�,成為眾多工�(yè)及消�(fèi)電子�(lǐng)域中的理想選擇�

參數(shù)

型號(hào):IPD060N03LG
  類型:P-channel MOSFET
  封裝:TO-252 (DPAK)
  Vds (漏源電壓)�-30V
  Rds(on) (�(dǎo)通電�)�4.5mΩ @ Vgs = -4.5V
  Id (連續(xù)漏極電流)�-60A
  Ptot (總功�)�118W
  工作溫度范圍�-55� � +175�
  Vgs (柵源電壓):�20V

特�

IPD060N03LG擁有卓越的性能特點(diǎn),適用于需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(chǎng)合。以下是其主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on),有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 高電流處理能�,最大可�(dá)60A,確保在大負(fù)載條件下�(wěn)定運(yùn)��
  3. 超強(qiáng)的耐壓能力,可承受高達(dá)30V的漏源電��
  4. �(yōu)化的開關(guān)特�,支持快速開�(guān)操作以降低動(dòng)�(tài)損��
  5. 工作溫度范圍寬廣,從-55℃到+175�,適�(yīng)各種極端�(huán)境條件�
  6. TO-252封裝�(shè)�(jì),便于安裝且散熱性能良好�
  這些特性使得IPD060N03LG非常適合用于汽車電子、電�(jī)控制、負(fù)載開�(guān)以及其他高要求的�(yīng)用場(chǎng)��

�(yīng)�

IPD060N03LG廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 汽車電子�(shè)備中的電源管理模�,如�(fā)�(dòng)�(jī)控制單元(ECU)、車身控制模�(BCM)��
  2. 開關(guān)電源(SMPS)和直�-直流�(zhuǎn)換器(DC-DC Converter)中的功率�(jí)元件�
  3. 各類�(fù)載開�(guān),包括USB端口保護(hù)、LED�(qū)�(dòng)器等�
  4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電控制電��
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的繼電器替代方案�
  由于其高效率和可靠�,IPD060N03LG是許多高性能�(yīng)用的理想選擇�

替代型號(hào)

IPD060N03LSE, IPP060N03L

ipd060n03lg推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

ipd060n03lg參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表IP(D,F,S,U)060N03L G
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝1
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - 單路
  • 系列OptiMOS™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C6 毫歐 @ 30A, 10V
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C50A
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)2.2V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs23nC @ 10V
  • � Vds �(shí)的輸入電�(Ciss)2400pF @ 15V
  • 功率 - 最�56W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3, DPak (2 引線+接片), SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�PG-TO252-3
  • 包裝剪切� (CT)
  • 其它名稱IPD060N03LGINCT