IPD053N08N3G 是一� N 溝道增強型功� MOSFET,采� DPAK 封裝形式。該器件廣泛�(yīng)用于電源管理、電機驅(qū)動、負載開�(guān)等場�。其低導(dǎo)通電阻特性能夠顯著降低功耗并提高效率。同�,它具有快速開�(guān)速度和出色的熱性能�
最大漏源電壓:80V
連續(xù)漏極電流�61A
�(dǎo)通電阻(典型值)�4.5mΩ
柵極電荷�72nC
開關(guān)時間:ton=9ns, toff=18ns
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
IPD053N08N3G 具有非常低的�(dǎo)通電� (Rds(on)),這使得它在高電流�(yīng)用中表現(xiàn)出色,并且可以減少熱量生成和能量損失�
此外,該器件的快速開�(guān)能力使其非常適合高頻開關(guān)�(yīng)用,例如 DC-DC �(zhuǎn)換器�
由于采用了先進的制造工�,這款 MOSFET 還具備良好的抗雪崩能力和魯棒�,能夠在異常條件下維持穩(wěn)定運��
DPAK 封裝提供了優(yōu)秀的散熱性能,便� PCB �(shè)計和安裝�
該芯片適用于多種工業(yè)及消費類電子�(chǎn)品領(lǐng)�,包括但不限于:
- 開關(guān)電源 (SMPS)
- 電機�(qū)動控�
- 負載開關(guān)
- 電池管理系統(tǒng) (BMS)
- 汽車電子中的直流電機控制
- 高效 DC-DC �(zhuǎn)換器
IPW053N08N3G, IRF540N