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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > IPD053N08N3G

IPD053N08N3G 發(fā)布時間 時間�2025/5/12 16:34:05 查看 閱讀�22

IPD053N08N3G 是一� N 溝道增強型功� MOSFET,采� DPAK 封裝形式。該器件廣泛�(yīng)用于電源管理、電機驅(qū)動、負載開�(guān)等場�。其低導(dǎo)通電阻特性能夠顯著降低功耗并提高效率。同�,它具有快速開�(guān)速度和出色的熱性能�

參數(shù)

最大漏源電壓:80V
  連續(xù)漏極電流�61A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�4.5mΩ
  柵極電荷�72nC
  開關(guān)時間:ton=9ns, toff=18ns
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至+175�

特�

IPD053N08N3G 具有非常低的�(dǎo)通電� (Rds(on)),這使得它在高電流�(yīng)用中表現(xiàn)出色,并且可以減少熱量生成和能量損失�
  此外,該器件的快速開�(guān)能力使其非常適合高頻開關(guān)�(yīng)用,例如 DC-DC �(zhuǎn)換器�
  由于采用了先進的制造工�,這款 MOSFET 還具備良好的抗雪崩能力和魯棒�,能夠在異常條件下維持穩(wěn)定運��
  DPAK 封裝提供了優(yōu)秀的散熱性能,便� PCB �(shè)計和安裝�

�(yīng)�

該芯片適用于多種工業(yè)及消費類電子�(chǎn)品領(lǐng)�,包括但不限于:
  - 開關(guān)電源 (SMPS)
  - 電機�(qū)動控�
  - 負載開關(guān)
  - 電池管理系統(tǒng) (BMS)
  - 汽車電子中的直流電機控制
  - 高效 DC-DC �(zhuǎn)換器

替代型號

IPW053N08N3G, IRF540N

ipd053n08n3g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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