IPD052N10NF2S 是一� N 溝道增強� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),由 Infineon Technologies 生產(chǎn)。該器件具有高效率和低導(dǎo)通電阻的特點,適用于需要高效功率轉(zhuǎn)換的場景。其封裝形式� PDFN3x3-8L,體積小且散熱性能良好,非常適合空間受限的�(yīng)用場��
這款 MOSFET 的最大特點是其極低的�(dǎo)通電阻(Rds(on)),這使得它在開�(guān)電源、負(fù)載切換、電機驅(qū)動等�(yīng)用中能夠顯著降低功耗并提高系統(tǒng)效率�
最大漏源電壓:100V
連續(xù)漏極電流�5.4A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):2.9mΩ
柵極電荷�7nC
總電容:460pF
工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
封裝形式:PDFN3x3-8L
1. 極低的導(dǎo)通電阻(2.9mΩ�,有助于降低�(dǎo)通損耗并提升效率�
2. 高速開�(guān)性能,柵極電荷僅� 7nC,適合高頻應(yīng)��
3. 小型化封裝(PDFN3x3-8L�,節(jié)� PCB 空間�
4. 寬工作溫度范圍(-55� � +175℃),適�(yīng)多種惡劣�(huán)��
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)計�
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)��
2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流�
3. 電池管理系統(tǒng)的負(fù)載切��
4. 電機�(qū)動和控制電路�
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率管理模��
6. 消費類電子產(chǎn)品中的高效功率管理方��
IPB052N10N3G, IPP052N10N3L