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IPD048N06L3G 發(fā)布時間 時間�2025/5/13 14:12:47 查看 閱讀�17

IPD048N06L3G 是一� N 溝道增強型功� MOSFET,采用先進的制程工藝制�,適用于各種需要高效能和低導通電阻的應用場景。該器件具有較低的導通電阻和較高的開關速度,廣泛用于開關電�、DC-DC 轉換器、電機驅動等應用領域�
  該型號屬于邏輯電平系列,其柵極驅動電壓較�,非常適合電池供電設備和其他對功耗敏感的設計�

參數(shù)

最大漏源電�(Vds)�60V
  連續(xù)漏極電流(Id)�48A
  導通電�(Rds(on))�4.5mΩ(典型�,Vgs=10V�
  柵極閾值電�(Vgs(th))�1.2V � 3.0V
  總功�(Ptot)�218W
  結溫范圍(Tj)�-55� � +175�
  封裝形式:TO-247

特�

IPD048N06L3G 具有以下主要特性:
  1. 極低的導通電� (Rds(on)),有助于減少傳導損�,提高系�(tǒng)效率�
  2. 高效的開關性能,支持高頻開關應用�
  3. 較低的柵極電� (Qg),可降低驅動功��
  4. 邏輯電平兼容柵極驅動,便于與低壓控制電路集成�
  5. 提供出色的熱性能,確保在高負載條件下的穩(wěn)定運��
  6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保設計�

應用

IPD048N06L3G 廣泛應用于以下領域:
  1. 開關電源 (SMPS) � DC-DC 轉換��
  2. 電機驅動和控制電路�
  3. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 和保護電��
  4. 工業(yè)自動化設備中的功率控制模��
  5. 太陽能逆變器及其他新能源相關設��
  6. 汽車電子系統(tǒng)的功率管理部分�

替代型號

IRLB8748PBF, FDP048N06L, STP48NF06L

ipd048n06l3g推薦供應� 更多>

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