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IPD048N06L3 G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/3 20:19:25 查看 閱讀�7

IPD048N06L3 G 是一� N 溝道邏輯電平增強(qiáng)型功� MOSFET,廣泛應(yīng)用于需要高效開�(guān)和低�(dǎo)通電阻的電路�。該器件采用 TO-252 (DPAK) 封裝,適用于消費(fèi)類電�、工�(yè)控制、電源管理等�(lǐng)域的�(yīng)��
  該芯片通過�(yōu)化設(shè)�(jì),提供較低的�(dǎo)通電阻以及快速開�(guān)性能,從而降低功耗并提高整體效率�

參數(shù)

型號(hào):IPD048N06L3 G
  VDS(漏源電壓)�60V
  RDS(on)(導(dǎo)通電�,典型值)�48mΩ
  ID(連續(xù)漏極電流):17A
  VGS(th)(柵極閾值電壓)�2.1V
  Qg(總柵極電荷):21nC
  fmax(最大工作頻率)�2MHz
  封裝:TO-252 (DPAK)
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C

特�

IPD048N06L3 G 具備以下顯著特性:
  1. 低導(dǎo)通電阻:� RDS(on) 僅為 48mΩ(典型值),能夠有效減少導(dǎo)通狀�(tài)下的功耗�
  2. 快速開�(guān)性能:由于具有較低的總柵極電� Qg 和輸出電�,該 MOSFET 可以在高頻下�(shí)�(xiàn)高效的開�(guān)操作�
  3. 高電流能力:支持高達(dá) 17A 的連續(xù)漏極電流,滿足大功率�(yīng)用需求�
  4. 寬工作溫度范圍:能夠� -55°C � +175°C 的環(huán)境下可靠�(yùn)行,適應(yīng)多種�(yīng)用場��
  5. 邏輯電平�(qū)�(dòng)兼容性:低至 2.1V � VGS(th) 確保其與低壓邏輯電路直接連接,無需額外的驅(qū)�(dòng)電路�
  6. 良好的熱性能:采� TO-252 (DPAK) 封裝,有助于散熱并提高可靠��

�(yīng)�

IPD048N06L3 G 廣泛�(yīng)用于各種電力電子�(lǐng)域,包括但不限于�
  1. 開關(guān)電源 (SMPS)�
   - DC-DC �(zhuǎn)換器
   - 降壓或升壓轉(zhuǎn)換器
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)�
   - 無刷直流電機(jī) (BLDC) 控制
   - 步�(jìn)電機(jī)�(qū)�(dòng)
  3. 電池管理系統(tǒng) (BMS)�
   - 電池保護(hù)電路
   - 充電/放電控制
  4. 工業(yè)自動(dòng)化:
   - 固態(tài)繼電�
   - 可編程邏輯控制器 (PLC) 輸出�(jí)
  5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品:
   - 筆記本電腦適配器
   - 手機(jī)充電�
  此外,它還適用于 LED �(qū)�(dòng)器、音頻放大器和其他需要高效功率開�(guān)的應(yīng)用場��

替代型號(hào)

IPB048N06L3 G, IPP048N06L3 G

ipd048n06l3 g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

ipd048n06l3 g參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表IPD048N06L3 G
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列OptiMOS™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C90A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4.8 毫歐 @ 90A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)2.2V @ 58µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs50nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds8400pF @ 30V
  • 功率 - 最�115W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片�,SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�PG-TO252-3
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SP000453334