IPD048N06L3 G 是一� N 溝道邏輯電平增強(qiáng)型功� MOSFET,廣泛應(yīng)用于需要高效開�(guān)和低�(dǎo)通電阻的電路�。該器件采用 TO-252 (DPAK) 封裝,適用于消費(fèi)類電�、工�(yè)控制、電源管理等�(lǐng)域的�(yīng)��
該芯片通過�(yōu)化設(shè)�(jì),提供較低的�(dǎo)通電阻以及快速開�(guān)性能,從而降低功耗并提高整體效率�
型號(hào):IPD048N06L3 G
VDS(漏源電壓)�60V
RDS(on)(導(dǎo)通電�,典型值)�48mΩ
ID(連續(xù)漏極電流):17A
VGS(th)(柵極閾值電壓)�2.1V
Qg(總柵極電荷):21nC
fmax(最大工作頻率)�2MHz
封裝:TO-252 (DPAK)
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
IPD048N06L3 G 具備以下顯著特性:
1. 低導(dǎo)通電阻:� RDS(on) 僅為 48mΩ(典型值),能夠有效減少導(dǎo)通狀�(tài)下的功耗�
2. 快速開�(guān)性能:由于具有較低的總柵極電� Qg 和輸出電�,該 MOSFET 可以在高頻下�(shí)�(xiàn)高效的開�(guān)操作�
3. 高電流能力:支持高達(dá) 17A 的連續(xù)漏極電流,滿足大功率�(yīng)用需求�
4. 寬工作溫度范圍:能夠� -55°C � +175°C 的環(huán)境下可靠�(yùn)行,適應(yīng)多種�(yīng)用場��
5. 邏輯電平�(qū)�(dòng)兼容性:低至 2.1V � VGS(th) 確保其與低壓邏輯電路直接連接,無需額外的驅(qū)�(dòng)電路�
6. 良好的熱性能:采� TO-252 (DPAK) 封裝,有助于散熱并提高可靠��
IPD048N06L3 G 廣泛�(yīng)用于各種電力電子�(lǐng)域,包括但不限于�
1. 開關(guān)電源 (SMPS)�
- DC-DC �(zhuǎn)換器
- 降壓或升壓轉(zhuǎn)換器
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)�
- 無刷直流電機(jī) (BLDC) 控制
- 步�(jìn)電機(jī)�(qū)�(dòng)
3. 電池管理系統(tǒng) (BMS)�
- 電池保護(hù)電路
- 充電/放電控制
4. 工業(yè)自動(dòng)化:
- 固態(tài)繼電�
- 可編程邏輯控制器 (PLC) 輸出�(jí)
5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品:
- 筆記本電腦適配器
- 手機(jī)充電�
此外,它還適用于 LED �(qū)�(dòng)器、音頻放大器和其他需要高效功率開�(guān)的應(yīng)用場��
IPB048N06L3 G, IPP048N06L3 G