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IPD046N08N5ATMA1 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/29 22:30:44 查看 閱讀�11

IPD046N08N5ATMA1 是一� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET,適用于高頻�(kāi)�(guān)和高效率功率�(zhuǎn)換應(yīng)用。該器件采用先�(jìn)的制造工�,在低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)性能之間�(shí)�(xiàn)了良好的平衡,廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工�(yè)電源以及通信�(shè)備中�

參數(shù)

型號(hào):IPD046N08N5ATMA1
  類型:N溝道 MOSFET
  封裝:TO-263 (D2PAK)
  最大漏源電� VDS�80V
  最大柵源電� VGS:�20V
  連續(xù)漏極電流 ID�46A
  �(dǎo)通電� RDS(on)�3.7mΩ(在 VGS=10V �(shí)�
  柵極電荷 Qg�68nC
  反向恢復(fù)�(shí)� trr�39ns
  工作溫度范圍�-55� � +175�

特�

IPD046N08N5ATMA1 的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(RDS(on)�,可有效降低�(dǎo)通損��
  2. 快速開(kāi)�(guān)速度,適合高頻應(yīng)��
  3. 高額定電流能�,能夠承受較大的�(fù)載電��
  4. 具備出色的熱�(wěn)定性和可靠�,能夠在高溫�(huán)境下正常�(yùn)��
  5. 小巧� DPAK 封裝,節(jié)� PCB 空間并簡(jiǎn)化散熱設(shè)�(jì)�
  6. 支持汽車�(jí)�(rèn)證標(biāo)�(zhǔn)(AEC-Q101�,確保其在惡劣環(huán)境下的可靠性能�

�(yīng)�

該功� MOSFET 可廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的主�(kāi)�(guān)管或同步整流��
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(kāi)�(guān)�
  3. DC-DC �(zhuǎn)換器中的高效功率�(zhuǎn)換元��
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換控��
  5. 通信電源模塊中的功率管理單元�
  6. 太陽(yáng)能逆變器以及其他新能源相關(guān)�(shè)��

替代型號(hào)

IPB054N06N5G, IRF540N, STP45NF06L

ipd046n08n5atma1推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

ipd046n08n5atma1參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�2,425�(xiàn)�
  • �(jià)�1 : �20.67000剪切帶(CT�2,500 : �9.47495卷帶(TR�
  • 系列OptiMOS?
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�80 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)90A(Tc�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�6V�10V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)4.6 毫歐 @ 45A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)3.8V @ 65μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)53 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)3800 pF @ 40 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)125W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�PG-TO252-3
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線 + 接片�,SC-63