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IPC100N04S5-1R9 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/23 12:35:38 查看 閱讀：11

IPC100N04S5-1R9 是一款基于硅技術(shù)的 N 沃特（N-Channel）功率 MOSFET。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)關(guān)速度，適用于多種高頻和高效能應(yīng)用。其采用 TO-263 封裝形式，適合表面貼裝技術(shù)（SMT），能夠有效提升電路性能并簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)過(guò)程。
　　這款功率 MOSFET 在電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及工業(yè)控制領(lǐng)域表現(xiàn)優(yōu)異，是現(xiàn)代電子設(shè)備中不可或缺的關(guān)鍵元件。

參數(shù)

最大漏源電壓：40V
　　連續(xù)漏極電流：100A
　　導(dǎo)通電阻（典型值）：1.9mΩ
　　柵極電荷：38nC
　　總功耗：240W
　　封裝類(lèi)型：TO-263

特性

IPC100N04S5-1R9 的主要特性包括出色的熱性能、低導(dǎo)通電阻以及高可靠性。
　　低導(dǎo)通電阻確保了在大電流條件下產(chǎn)生的功率損耗最小化，從而提升了整體效率。
　　此外，該器件具備快速開(kāi)關(guān)能力，能夠顯著降低開(kāi)關(guān)損耗，非常適合高頻應(yīng)用。
　　其堅(jiān)固的設(shè)計(jì)和優(yōu)化的熱阻使其能夠在嚴(yán)苛的工作環(huán)境下保持穩(wěn)定運(yùn)行。
　　同時(shí)，由于采用了先進(jìn)的封裝技術(shù)，IPC100N04S5-1R9 還具備卓越的電氣隔離能力和抗干擾性能。

應(yīng)用

IPC100N04S5-1R9 廣泛應(yīng)用于多個(gè)領(lǐng)域，例如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、逆變器、不間斷電源（UPS）、太陽(yáng)能逆變器以及電動(dòng)車(chē)輛中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。
　　在通信電源和工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中，該器件同樣表現(xiàn)出色，可實(shí)現(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)換和精準(zhǔn)的負(fù)載控制。
　　此外，它還被廣泛用于消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品，如筆記本電腦適配器和家用電器等，以滿(mǎn)足對(duì)高性能和低能耗的需求。

替代型號(hào)

IPC075N04S5-1R6
　　IPC075N04S5-1R7
　　IPC100N04L

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