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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > IPB80N04S4L-04

IPB80N04S4L-04 發(fā)布時間 時間�2025/5/10 11:56:26 查看 閱讀�22

IPB80N04S4L-04 是一� N 溝道功率 MOSFET,采� TO-252 封裝形式。該器件具有低導通電阻、高開關速度和良好的熱性能,適合用于各種高效能功率轉換應用中。其耐壓� 40V,適用于需要較高電流承載能力的電路�(huán)��
  這款 MOSFET 常見于開關電源(SMPS�、電機驅動器、負載切換等應用領域,能夠顯著降低傳導損耗并提高整體效率�

參數(shù)

最大漏源電壓:40V
  最大連續(xù)漏極電流�80A
  導通電阻(典型值)�3.5mΩ
  柵極電荷(典型值)�12nC
  開關時間(典型值)�15ns
  封裝形式:TO-252

特�

IPB80N04S4L-04 具有以下主要特性:
  1. 極低的導通電� (Rds(on)),有助于減少功率損耗并提升系統(tǒng)效率�
  2. 快速開關能�,使得該器件非常適合高頻應用�(huán)��
  3. 高浪涌電流能�,可以應對突�(fā)性的大電流需��
  4. 良好的熱�(wěn)定性,確保長時間運行下的可靠性和安全��
  5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且支持�(xiàn)代綠色設計理念�
  6. 內部設計�(yōu)化以降低寄生電感影響,從而改善電磁兼容性表�(xiàn)�

應用

� MOSFET 廣泛應用于以下場景:
  1. 開關模式電源(SMPS�,如 AC-DC � DC-DC 轉換器�
  2. 各類電機驅動�,例如直流無刷電機控��
  3. 電池管理系統(tǒng)中的負載切換和保護電路�
  4. 工業(yè)自動化設備內的功率控制模��
  5. 電動汽車充電設施及可再生能源相關逆變器產品�

替代型號

IPW80N04S4L-04, IRFZ44N, FDP067N04L

ipb80n04s4l-04推薦供應� 更多>

  • 產品型號
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

ipb80n04s4l-04參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表IPx80N04S4L-04
  • 標準包裝1,000
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭FET - �
  • 系列OptiMOS™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)40V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C80A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4 毫歐 @ 80A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)2.2V @ 35µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs60nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds4690pF @ 25V
  • 功率 - 最�71W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-263-3,D²Pak�2 引線+接片),TO-263AB
  • 供應商設備封�PG-TO263-3-2
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IPB80N04S4L04ATMA1SP000646180