IPB80N04S4L-04 是一� N 溝道功率 MOSFET,采� TO-252 封裝形式。該器件具有低導通電阻、高開關速度和良好的熱性能,適合用于各種高效能功率轉換應用中。其耐壓� 40V,適用于需要較高電流承載能力的電路�(huán)��
這款 MOSFET 常見于開關電源(SMPS�、電機驅動器、負載切換等應用領域,能夠顯著降低傳導損耗并提高整體效率�
最大漏源電壓:40V
最大連續(xù)漏極電流�80A
導通電阻(典型值)�3.5mΩ
柵極電荷(典型值)�12nC
開關時間(典型值)�15ns
封裝形式:TO-252
IPB80N04S4L-04 具有以下主要特性:
1. 極低的導通電� (Rds(on)),有助于減少功率損耗并提升系統(tǒng)效率�
2. 快速開關能�,使得該器件非常適合高頻應用�(huán)��
3. 高浪涌電流能�,可以應對突�(fā)性的大電流需��
4. 良好的熱�(wěn)定性,確保長時間運行下的可靠性和安全��
5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且支持�(xiàn)代綠色設計理念�
6. 內部設計�(yōu)化以降低寄生電感影響,從而改善電磁兼容性表�(xiàn)�
� MOSFET 廣泛應用于以下場景:
1. 開關模式電源(SMPS�,如 AC-DC � DC-DC 轉換器�
2. 各類電機驅動�,例如直流無刷電機控��
3. 電池管理系統(tǒng)中的負載切換和保護電路�
4. 工業(yè)自動化設備內的功率控制模��
5. 電動汽車充電設施及可再生能源相關逆變器產品�
IPW80N04S4L-04, IRFZ44N, FDP067N04L