IPB330P10NM 是一� N 溝道功率 MOSFET,專為高頻開關應用而設計。該器件采用先進的半導體工藝制�,具有較低的導通電阻和柵極電荷,能夠顯著提高效率并降低功�。其封裝形式通常� TO-220 或類似功率封�,適用于多種工業(yè)和消費類電子應用�
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流�33A
導通電阻:0.14Ω
柵極電荷�48nC
總柵極電荷:75nC
開關時間:ton=78ns, toff=92ns
工作結溫范圍�-55℃至+175�
封裝形式:TO-220
IPB330P10NM 的主要特點是其高耐壓能力�650V�,適合高壓電路環(huán)�。同�,其低導通電阻(0.14Ω)確保了在大電流條件下仍能保持較低的功耗。此外,該器件的柵極電荷較小,有助于實現(xiàn)快速開關操�,減少開關損耗�
� MOSFET 還具備優(yōu)異的熱穩(wěn)定�,能夠在高溫�(huán)境下可靠運行,這使其非常適合于對溫度要求較高的應用場景。另�,其封裝形式便于散熱管理,進一步提升了器件的整體性能�
IPB330P10NM 廣泛應用于開關電�、電機驅�、DC-DC 轉換器、逆變器以及其他需要高頻開關和高效能量轉換的場�。由于其高耐壓特性和大電流處理能力,該器件特別適合于工業(yè)控制、汽車電子以及家用電器等領域的電力管理系�(tǒng)�
IPW330P10N, IRF840, STP33NF10