IPB180N06S4-H1 是一款高性能� N 灃道場效應晶體管(MOSFET�,采用先進的制程工藝設計,具有低導通電阻和快速開關速度的特�。該器件主要應用于需要高效功率轉換的場景,例如電源適配器、DC-DC 轉換�、電機驅動以及開關電源等。其�(yōu)化的柵極電荷和輸出電容使其成為高頻應用的理想選擇�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�180A
導通電阻:2.5mΩ
柵源開啟電壓�2.5V
總柵極電荷:95nC
輸入電容�2320pF
工作溫度范圍�-55� to 150�
IPB180N06S4-H1 提供了非常低的導通電�,從而減少了導通損耗并提升了系�(tǒng)效率�
它具有高電流承載能力,能夠滿足大功率應用場景的需��
該器件采用了超薄封裝技術,適合空間受限的設��
同時,其出色的熱性能確保了在高溫�(huán)境下依然可以�(wěn)定運��
此外,快速的開關特性和低柵極電荷也降低了開關損�,進一步提升了效率�
IPB180N06S4-H1 廣泛應用于各類電力電子領�,包括但不限于:
1. 開關電源(SMPS�
2. 電機驅動
3. 工業(yè)逆變�
4. DC-DC 轉換�
5. 充電器模�
6. 電動車及電動工具中的功率控制
7. 高效能源管理系統(tǒng)中的功率級組�
IPW180N06S4-L, IRF540N, STP180N06L