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IPB180N06S4-H1 發(fā)布時間 時間�2025/5/8 1:12:50 查看 閱讀�30

IPB180N06S4-H1 是一款高性能� N 灃道場效應晶體管(MOSFET�,采用先進的制程工藝設計,具有低導通電阻和快速開關速度的特�。該器件主要應用于需要高效功率轉換的場景,例如電源適配器、DC-DC 轉換�、電機驅動以及開關電源等。其�(yōu)化的柵極電荷和輸出電容使其成為高頻應用的理想選擇�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�180A
  導通電阻:2.5mΩ
  柵源開啟電壓�2.5V
  總柵極電荷:95nC
  輸入電容�2320pF
  工作溫度范圍�-55� to 150�

特�

IPB180N06S4-H1 提供了非常低的導通電�,從而減少了導通損耗并提升了系�(tǒng)效率�
  它具有高電流承載能力,能夠滿足大功率應用場景的需��
  該器件采用了超薄封裝技術,適合空間受限的設��
  同時,其出色的熱性能確保了在高溫�(huán)境下依然可以�(wěn)定運��
  此外,快速的開關特性和低柵極電荷也降低了開關損�,進一步提升了效率�

應用

IPB180N06S4-H1 廣泛應用于各類電力電子領�,包括但不限于:
  1. 開關電源(SMPS�
  2. 電機驅動
  3. 工業(yè)逆變�
  4. DC-DC 轉換�
  5. 充電器模�
  6. 電動車及電動工具中的功率控制
  7. 高效能源管理系統(tǒng)中的功率級組�

替代型號

IPW180N06S4-L, IRF540N, STP180N06L

ipb180n06s4-h1推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

ipb180n06s4-h1資料 更多>

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ipb180n06s4-h1參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表IPB180N06S4-H1
  • 標準包裝1,000
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列OptiMOS™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C180A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.7 毫歐 @ 100A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 200µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs270nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds21900pF @ 25V
  • 功率 - 最�250W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-263-7,D²Pak�6 引線+接片�,TO-263CB
  • 供應商設備封�PG-TO263-7
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SP000415562