IPB180N04S4-H0 是一款由 Infineon(英飛凌)生產的 N 沱道 場效應晶體管(MOSFET�。該器件屬于 OptiMOS 系列,專為高效能開關應用而設計。其�(yōu)化的導通電阻和柵極電荷使其在高頻開關應用中表現(xiàn)出色,例� DC-DC 轉換�、電機驅動以及太陽能逆變器等。此 MOSFET 采用 TO-220 封裝形式,便于散熱和安裝�
OptiMOS 技術通過降低導通損耗和開關損耗,進一步提升了效率,并減少了整體系�(tǒng)成本。IPB180N04S4-H0 的高雪崩能力和魯棒性確保了在惡劣環(huán)境下的可靠運��
最大漏源電壓:40V
連續(xù)漏極電流�180A
導通電阻(典型值)�1.3mΩ
柵極電荷(典型值)�175nC
開關頻率范圍:最高支持數(shù)百kHz
封裝形式:TO-220
工作溫度范圍�-55� � +175�
1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,在高電流條件下顯著降低功��
2. �(yōu)化的柵極電荷 (Qg),實�(xiàn)高效的開關性能�
3. 內置二極管提供反向保護功能,增強電路可靠��
4. 高雪崩能量能�,能夠在短路或過載情況下提供額外保護�
5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且適合各種工業(yè)及消費類應用�
6. 工作溫度范圍寬廣,適應多種極端條件下的使用場��
1. DC-DC 轉換器中的功率級開關�
2. 各類電機驅動,包括無刷直流電機(BLDC)控��
3. 太陽能逆變器中的功率模塊組件�
4. 不間斷電源(UPS)系�(tǒng)中的功率開關�
5. 電動汽車(EV)和混合動力汽車(HEV)中的電池管理系�(tǒng)(BMS��
6. 高效能電源適配器及充電器設計�
IPW180N04S4-L, IPP180N04S4PFP, IPB180N04S4-H