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IPB180N04S4-01 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/19 18:24:40 查看 閱讀：15

IPB180N04S4-01 是一款由 Infineon（英飛凌）生產(chǎn)的 N 溝道功率 MOSFET。該器件采用了 TRENCHSTOP? 技術(shù)，具有低導(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn)，適用于開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC 轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用領(lǐng)域。
　　這款 MOSFET 的封裝形式為 TO-252 (DPAK)，能夠提供出色的熱性能和電氣性能，適合需要緊湊設(shè)計(jì)的應(yīng)用場(chǎng)景。

參數(shù)

最大漏源電壓：40V
　　連續(xù)漏極電流：180A
　　導(dǎo)通電阻（典型值）：3.5mΩ
　　柵極電荷（典型值）：79nC
　　總電容（輸入電容）：2120pF
　　功耗：20W
　　工作結(jié)溫范圍：-55℃ 至 +175℃

特性

IPB180N04S4-01 具有以下主要特性：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on))，有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高整體效率。
　　2. 快速開(kāi)關(guān)性能，適合高頻應(yīng)用。
　　3. 高雪崩能量能力，增強(qiáng)了器件的魯棒性和可靠性。
　　4. 小型 DPAK 封裝，便于 PCB 布局和散熱管理。
　　5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且滿足現(xiàn)代工業(yè)要求。
　　6. 穩(wěn)定的工作溫度范圍，適應(yīng)多種嚴(yán)苛環(huán)境條件。

應(yīng)用

IPB180N04S4-01 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開(kāi)關(guān)電源（SMPS），如適配器、充電器等。
　　2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的同步整流。
　　3. 電機(jī)控制與驅(qū)動(dòng)，例如無(wú)刷直流電機(jī)（BLDC）控制器。
　　4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率級(jí)模塊。
　　5. 可再生能源系統(tǒng)，如太陽(yáng)能微型逆變器。
　　6. 各種需要高效功率轉(zhuǎn)換的消費(fèi)類電子產(chǎn)品。

替代型號(hào)

IPW180N04S4L-02, IRFZ44N, FDP187AN

ipb180n04s4-01推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

ipb180n04s4-01參數(shù)

  • 數(shù)據(jù)列表IPB180N04S4-01
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝1,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列OptoMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)型
  • 漏極至源極電壓(Vdss)40V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C180A
  • 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C1.3 毫歐 @ 100A，10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）4V @ 140µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs176nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds14000pF @ 25V
  • 功率 - 最大188W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-263-7，D²Pak（6 引線+接片），TO-263CB
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝PG-TO263-7-3
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IPB180N04S401ATMA1SP000705694