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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > IPB108N15N3 G

IPB108N15N3 G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/12 18:32:40 查看 閱讀�28

IPB108N15N3 G 是一� N 溝道功率 MOSFET,由 Infineon(英飛凌)生�(chǎn)。該器件專為高效率和高性能�(yīng)用設(shè)�(jì),適合用于開�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)和其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的場合�
  � MOSFET 使用� Trench 技�(shù)以優(yōu)化導(dǎo)通電阻和開關(guān)性能,并采用� TO-263 (DPAK) 封裝形式,具備良好的散熱特性和易于安裝的特�(diǎn)�

參數(shù)

最大漏源電壓:150V
  連續(xù)漏極電流�8.9A
  �(dǎo)通電阻:120mΩ
  柵極電荷�41nC
  開關(guān)速度:快
  封裝類型:TO-263 (DPAK)
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C

特�

1. 采用先�(jìn)� Trench MOSFET 技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻和低柵極電�,可提高效率并降低功耗�
  2. 快速開�(guān)特性使其非常適合高頻應(yīng)��
  3. 高雪崩擊穿能力和高可靠性確保在異常條件下也能穩(wěn)定運(yùn)行�
  4. 小型� DPAK 封裝提供出色的熱性能,簡� PCB �(shè)�(jì)�
  5. 寬工作溫度范圍支持在極端�(huán)境下的可靠操��

�(yīng)�

IPB108N15N3 G 廣泛�(yīng)用于各種功率電子�(lǐng)�,包括但不限于:
  1. 開關(guān)電源(SMPS�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)與控�
  4. 電池管理與保�(hù)電路
  5. 照明系統(tǒng)中的 LED �(qū)�(dòng)
  6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率級(jí)

替代型號(hào)

IPD108N15N3 G, IRF640, FDP150N15AE

ipb108n15n3 g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

ipb108n15n3 g參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表IPB108N15N3 G,IPx111N15N3 G
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝1,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列OptiMOS™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)150V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C83A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C10.8 毫歐 @ 83A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)4V @ 160µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs55nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds3230pF @ 75V
  • 功率 - 最�214W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-263-3,D²Pak�2 引線+接片�,TO-263AB
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�PG-TO263-2
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IPB108N15N3 G-NDSP000677862