IPB108N15N3 G 是一� N 溝道功率 MOSFET,由 Infineon(英飛凌)生�(chǎn)。該器件專為高效率和高性能�(yīng)用設(shè)�(jì),適合用于開�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)和其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的場合�
� MOSFET 使用� Trench 技�(shù)以優(yōu)化導(dǎo)通電阻和開關(guān)性能,并采用� TO-263 (DPAK) 封裝形式,具備良好的散熱特性和易于安裝的特�(diǎn)�
最大漏源電壓:150V
連續(xù)漏極電流�8.9A
�(dǎo)通電阻:120mΩ
柵極電荷�41nC
開關(guān)速度:快
封裝類型:TO-263 (DPAK)
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
1. 采用先�(jìn)� Trench MOSFET 技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻和低柵極電�,可提高效率并降低功耗�
2. 快速開�(guān)特性使其非常適合高頻應(yīng)��
3. 高雪崩擊穿能力和高可靠性確保在異常條件下也能穩(wěn)定運(yùn)行�
4. 小型� DPAK 封裝提供出色的熱性能,簡� PCB �(shè)�(jì)�
5. 寬工作溫度范圍支持在極端�(huán)境下的可靠操��
IPB108N15N3 G 廣泛�(yīng)用于各種功率電子�(lǐng)�,包括但不限于:
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)與控�
4. 電池管理與保�(hù)電路
5. 照明系統(tǒng)中的 LED �(qū)�(dòng)
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率級(jí)
IPD108N15N3 G, IRF640, FDP150N15AE