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IPB083N10N3G 發(fā)布時間 時間�2025/4/30 9:11:13 查看 閱讀�33

IPB083N10N3G 是一款由 Infineon(英飛凌)生�(chǎn)� N 灃道 Mosfet。該器件采用� TRENCHSTOP? 技�(shù),具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的開�(guān)效率,適用于多種功率�(zhuǎn)換應(yīng)�。其封裝形式� TO-252 (DPAK),能夠滿足高密度電路板設(shè)計需��
  � MOSFET 的最大漏源電壓為 100V,持�(xù)漏極電流� 8.3A,非常適合用� DC-DC �(zhuǎn)換器、電機驅(qū)�、開�(guān)電源以及其他需要高頻開�(guān)的應(yīng)用場景�

參數(shù)

最大漏源電壓:100V
  最大漏極電流:8.3A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�9.5mΩ
  柵極電荷(典型值)�12nC
  輸入電容(典型值)�465pF
  工作�(jié)溫范圍:-55°C � +175°C
  封裝類型:TO-252 (DPAK)

特�

IPB083N10N3G 具有以下顯著特性:
  1. 低導(dǎo)通電阻:其典型導(dǎo)通電阻僅� 9.5mΩ,這有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)的整體效��
  2. 快速開�(guān)性能:通過�(yōu)化的 TRENCHSTOP? 技�(shù),該器件能夠?qū)崿F(xiàn)更快的開�(guān)速度,同時保持較低的開關(guān)損��
  3. 高雪崩能力:具備強大的雪崩能量吸收能�,增強了器件在異常情況下的可靠��
  4. 熱穩(wěn)定性:能夠� -55°C � +175°C 的寬溫度范圍�(nèi)可靠運行,適合工�(yè)及汽車級�(yīng)用�
  5. 小型化封裝:采用 DPAK 封裝,節(jié)省了 PCB 布局空間,便于緊湊型�(shè)��
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn):環(huán)保且符合國際法規(guī)要求�

�(yīng)�

IPB083N10N3G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS):如適配器、充電器��
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器:在通信�(shè)備和工業(yè)控制中提供高效的電壓�(zhuǎn)換�
  3. 電機�(qū)動:用于家用電器、電動工具和其他小型電機的驅(qū)動控��
  4. 電池管理系統(tǒng) (BMS):適用于電動車、儲能系�(tǒng)中的充放電管��
  5. 工業(yè)自動化:用作功率開關(guān)或負(fù)載切換元��
  6. 汽車電子:如車身控制模塊、照明系�(tǒng)等對可靠性要求較高的場合�

替代型號

IPW083N10N3G, IPP083N10N3G

ipb083n10n3g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
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