IPB057N06N是一款由英飛凌(Infineon)生�(chǎn)的N溝道功率MOSFET。該器件采用先�(jìn)的溝槽式技�(shù)制�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),適用于多種電源管理�(yīng)用。其額定電壓�60V,廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工�(yè)控制及汽車電子領(lǐng)��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�48A
�(dǎo)通電阻:1.2mΩ
柵極電荷�39nC
開關(guān)速度:非?�?br> 封裝形式:TO-247
IPB057N06N具有以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻,能夠有效減少功率損��
2. 快速開�(guān)性能,適合高頻工作環(huán)��
3. 高雪崩能量能力,增強(qiáng)器件的魯棒��
4. 良好的熱�(wěn)定性和電氣�(wěn)定��
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保設(shè)�(jì)�
6. 支持大電流操�,滿足高性能需��
該器件適用于多種電力�(zhuǎn)換和控制�(chǎng)景,包括但不限于�
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. DC/DC�(zhuǎn)換器
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)
4. 電池管理系統(tǒng)
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控�
6. 汽車電子中的�(fù)載切換和保護(hù)電路
IPP050N06S, IRFZ44N, FDP057AN