IPB048N15N5LF是一款N溝道功率MOSFET,采用TO-263封裝形式。該器件具有低導(dǎo)通電阻(Rds(on))和高開�(guān)速度的特�(diǎn),適用于多種功率�(zhuǎn)換應(yīng)用。其耐壓值為150V,持�(xù)漏極電流可達(dá)4.8A,適合在高效能的電源管理電路中使��
最大漏源電壓:150V
最大漏極電流:4.8A
�(dǎo)通電阻:0.19Ω
柵極電荷�11nC
總功耗:17W
工作溫度范圍�-55� to 150�
IPB048N15N5LF具備低導(dǎo)通電阻以減少功率損耗,并且能夠承受較高的瞬�(tài)電壓。它具有�(yōu)秀的開�(guān)性能,這使得它非常適合用于高頻開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器以及電機(jī)�(qū)�(dòng)等場��
此外,該MOSFET還采用了先�(jìn)的工藝制�,確保了良好的熱�(wěn)定性和可靠�。通過�(yōu)化柵極驅(qū)�(dòng)�(shè)�(jì),可以�(jìn)一步提高其效率并降低電磁干擾問��
它的封裝形式(TO-263)便于散熱處�,同�(shí)提供了一�(gè)�(jiān)固耐用的機(jī)械結(jié)�(gòu)來滿足工�(yè)級應(yīng)用的需求�
該功率MOSFET廣泛�(yīng)用于各種電子�(shè)備中的功率管理領(lǐng)�,包括但不限于以下方面:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. 電機(jī)控制與驅(qū)�(dòng)
4. 電池充電管理系統(tǒng)
5. 照明�(zhèn)流器
由于其高性能表現(xiàn)及可靠�,在消費(fèi)類電子產(chǎn)�、工�(yè)自動(dòng)化設(shè)備以及通信基礎(chǔ)�(shè)施等方面均有廣泛�(yīng)��
IPD048N15N5LF, IPP048N15N5LF