IPB042N10N3GATMA1 是一款由 Infineon(英飛凌)生產的 N � � Mosfet。該器件采用 TO-252 (DPAK) 封裝,具有較低的導通電阻和快速開關特�,適用于多種功率轉換應用�
這款 MOSFET 的設計主要針對高效能、低功耗的應用場景,能夠提供卓越的性能表現(xiàn)�
最大漏源電壓:100V
連續(xù)漏極電流�4.2A
導通電阻:150mΩ
柵極電荷�7nC
總電容:135pF
工作溫度范圍�-55� � +150�
IPB042N10N3GATMA1 具有以下顯著特性:
1. 超低導通電阻,有助于減少傳導損耗并提高效率�
2. 快速開關能�,適合高頻應��
3. 較小的封裝尺�,便于電路板布局�(yōu)化�
4. �(yōu)秀的熱�(wěn)定性和可靠�,能夠在寬溫范圍內穩(wěn)定運��
5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且無鉛�
該型號的 MOSFET 廣泛應用于各類電力電子設備中,包括但不限于:
1. 開關電源(SMPS�
2. DC/DC 轉換�
3. LED 驅動�
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
5. 工業(yè)自動化控制中的電機驅�
6. 消費類電子產品中的負載開�
IPD060N10N3GATMA1, IRF540NPBF