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IPB037N06N3G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/27 16:26:37 查看 閱讀�13

IPB037N06N3G是一款由Infineon(英飛凌)生�(chǎn)的MOSFET(金�-氧化�-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。該器件屬于P溝道增強(qiáng)型MOSFET,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)和開�(guān)電路等領(lǐng)�。其�(shè)�(jì)特點(diǎn)包括低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度以及出色的熱性能�

參數(shù)

型號(hào):IPB037N06N3G
  類型:P溝道MOSFET
  制造商:Infineon Technologies
  Vds(漏源極擊穿電壓):60V
  Rds(on)(導(dǎo)通電�,典型值)�37mΩ
  Id(連續(xù)漏極電流):-42A
  Ptot(總功耗)�190W
  封裝:TO-247-3
  工作溫度范圍�-55℃至+150�

特�

IPB037N06N3G具有非常低的�(dǎo)通電阻,僅為37mΩ(典型值),這有助于降低功率損耗并提高效率�
  該器件支持高�(dá)-42A的連續(xù)漏極電流,使其適用于大電流應(yīng)��
  它采用TO-247-3封裝,這種封裝形式能夠有效提升散熱性能,同�(shí)便于安裝和維�(hù)�
  其額定漏源極擊穿電壓�60V,可滿足多種低壓系統(tǒng)的需��
  由于采用了先�(jìn)的制造工藝,該器件具備快速開�(guān)能力,從而減少了開關(guān)損耗�
  此外,其工作溫度范圍�-55℃到+150℃,適應(yīng)性強(qiáng),能夠在惡劣�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��

�(yīng)�

IPB037N06N3G適用于各種需要高效功率轉(zhuǎn)換和控制的應(yīng)用場(chǎng)�,例如:
  1. 開關(guān)電源(SMPS�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和控�
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)�
  5. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
  6. 電信電源
  7. 照明控制系統(tǒng)
  這款MOSFET憑借其出色的電氣特性和可靠�,在這些�(lǐng)域中表現(xiàn)出色�

替代型號(hào)

IPP037N06N3G

ipb037n06n3g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
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