IPB037N06N3G是一款由Infineon(英飛凌)生�(chǎn)的MOSFET(金�-氧化�-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。該器件屬于P溝道增強(qiáng)型MOSFET,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)和開�(guān)電路等領(lǐng)�。其�(shè)�(jì)特點(diǎn)包括低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度以及出色的熱性能�
型號(hào):IPB037N06N3G
類型:P溝道MOSFET
制造商:Infineon Technologies
Vds(漏源極擊穿電壓):60V
Rds(on)(導(dǎo)通電�,典型值)�37mΩ
Id(連續(xù)漏極電流):-42A
Ptot(總功耗)�190W
封裝:TO-247-3
工作溫度范圍�-55℃至+150�
IPB037N06N3G具有非常低的�(dǎo)通電阻,僅為37mΩ(典型值),這有助于降低功率損耗并提高效率�
該器件支持高�(dá)-42A的連續(xù)漏極電流,使其適用于大電流應(yīng)��
它采用TO-247-3封裝,這種封裝形式能夠有效提升散熱性能,同�(shí)便于安裝和維�(hù)�
其額定漏源極擊穿電壓�60V,可滿足多種低壓系統(tǒng)的需��
由于采用了先�(jìn)的制造工藝,該器件具備快速開�(guān)能力,從而減少了開關(guān)損耗�
此外,其工作溫度范圍�-55℃到+150℃,適應(yīng)性強(qiáng),能夠在惡劣�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
IPB037N06N3G適用于各種需要高效功率轉(zhuǎn)換和控制的應(yīng)用場(chǎng)�,例如:
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和控�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)�
5. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
6. 電信電源
7. 照明控制系統(tǒng)
這款MOSFET憑借其出色的電氣特性和可靠�,在這些�(lǐng)域中表現(xiàn)出色�
IPP037N06N3G