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IPB029N06N3 G 發(fā)布時間 時間�2025/5/7 15:23:05 查看 閱讀�31

IPB029N06N3 G是一款由Infineon(英飛凌)生�(chǎn)的N溝道功率MOSFET。該器件采用了先�(jìn)的制程技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�,適用于多種功率�(zhuǎn)換和電機(jī)�(qū)動應(yīng)�。其封裝形式為TO-252 (DPAK),有助于提高散熱性能并節(jié)省PCB空間�
  這款MOSFET廣泛用于消費電子、工�(yè)控制以及通信�(shè)備等�(lǐng)�,能夠提供高�、可靠的功率管理解決方案�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�9A
  �(dǎo)通電阻:4.5mΩ
  柵極電荷�18nC
  開關(guān)損耗:�
  工作溫度范圍�-55� to +175�
  封裝類型:TO-252 (DPAK)

特�

IPB029N06N3 G具有以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),能夠在高頻應(yīng)用中減少傳導(dǎo)損��
  2. 高雪崩能量能�,確保在異常情況下仍能保持穩(wěn)定運行�
  3. 快速開�(guān)速度和低柵極電荷,可顯著降低開關(guān)損��
  4. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且支持無鉛焊接工藝�
  5. 封裝�(shè)計緊湊,適合空間受限的應(yīng)用場��
  6. 良好的熱性能,有助于提升系統(tǒng)的整體效率和可靠��

�(yīng)�

該MOSFET適用于多種功率電子應(yīng)用領(lǐng)域,包括但不限于�
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流和DC-DC�(zhuǎn)��
  2. 電池充電器和保護(hù)電路�
  3. 電機(jī)�(qū)動和控制�
  4. 消費類電子產(chǎn)品中的負(fù)載切換�
  5. 電信�(shè)備中的功率管理模塊�
  由于其出色的性能表現(xiàn),IPB029N06N3 G成為許多工程師在功率�(zhuǎn)換和�(qū)動應(yīng)用中的首選元��

替代型號

IPB032N06N3 G, IPP029N06N3, IRFZ44N

ipb029n06n3 g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

ipb029n06n3 g參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表IPx029N06N3 G
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝1,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列OptiMOS™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C120A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C2.9 毫歐 @ 100A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 118µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs165nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds13000pF @ 30V
  • 功率 - 最�188W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-263-3,D²Pak�2 引線+接片�,TO-263AB
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�PG-TO263-2
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IPB029N06N3 G-NDSP000453052