IPB029N06N3 G是一款由Infineon(英飛凌)生�(chǎn)的N溝道功率MOSFET。該器件采用了先�(jìn)的制程技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�,適用于多種功率�(zhuǎn)換和電機(jī)�(qū)動應(yīng)�。其封裝形式為TO-252 (DPAK),有助于提高散熱性能并節(jié)省PCB空間�
這款MOSFET廣泛用于消費電子、工�(yè)控制以及通信�(shè)備等�(lǐng)�,能夠提供高�、可靠的功率管理解決方案�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�9A
�(dǎo)通電阻:4.5mΩ
柵極電荷�18nC
開關(guān)損耗:�
工作溫度范圍�-55� to +175�
封裝類型:TO-252 (DPAK)
IPB029N06N3 G具有以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),能夠在高頻應(yīng)用中減少傳導(dǎo)損��
2. 高雪崩能量能�,確保在異常情況下仍能保持穩(wěn)定運行�
3. 快速開�(guān)速度和低柵極電荷,可顯著降低開關(guān)損��
4. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且支持無鉛焊接工藝�
5. 封裝�(shè)計緊湊,適合空間受限的應(yīng)用場��
6. 良好的熱性能,有助于提升系統(tǒng)的整體效率和可靠��
該MOSFET適用于多種功率電子應(yīng)用領(lǐng)域,包括但不限于�
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流和DC-DC�(zhuǎn)��
2. 電池充電器和保護(hù)電路�
3. 電機(jī)�(qū)動和控制�
4. 消費類電子產(chǎn)品中的負(fù)載切換�
5. 電信�(shè)備中的功率管理模塊�
由于其出色的性能表現(xiàn),IPB029N06N3 G成為許多工程師在功率�(zhuǎn)換和�(qū)動應(yīng)用中的首選元��
IPB032N06N3 G, IPP029N06N3, IRFZ44N