IPB018N06NF2S 是一� N 溝道增強型功� MOSFET,采� PDFN33-3 封裝形式。該器件適用于多種開�(guān)和調(diào)節(jié)應用,其低導通電阻和高效率的特性使其成為眾多電源管理系�(tǒng)的理想選擇。IPB018N06NF2S 具有出色的熱性能和可靠�,適合緊湊型�(shè)��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�18A
導通電阻(典型值)�4.5mΩ
柵極電荷�17nC
反向恢復時間:無(本體二極管不適用)
工作�(jié)溫范圍:-55°C � +175°C
封裝形式:PDFN33-3
IPB018N06NF2S 的主要特性包括:
1. 極低的導通電阻,可顯著降低功率損��
2. 高度�(yōu)化的柵極電荷�(shè)�,以實現(xiàn)快速切換并減少開關(guān)損��
3. 出色的熱�(wěn)定性,確保在高溫環(huán)境下仍能保持高性能�
4. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且安全�
5. 緊湊� PDFN33-3 封裝,便于表面貼裝工藝�
6. 高雪崩能量能�,增強了器件的魯棒��
7. 可靠� ESD 性能,提升了抗靜電能��
該器件適用于以下應用�(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源 (SMPS) 中的同步整流�
2. DC/DC �(zhuǎn)換器中的主開�(guān)或續(xù)流二極管替代方案�
3. 電機�(qū)動和控制電路�
4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負載切換�
5. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的保護和功率分��
6. LED �(qū)動器和照明系�(tǒng)中的高效功率�(zhuǎn)換�
7. 通信�(shè)備和消費類電子產(chǎn)品的電源管理單元�
IPD020N06S2G, IRFZ44N, FDP157N