日韩欧美国产极速不卡一区,国产手机视频在线观看尤物,国产亚洲欧美日韩蜜芽一区,亚洲精品国产免费,亚洲二区三区无码中文,A大片亚洲AV无码一区二区三区,日韩国语国产无码123

您好,歡迎來到維庫電子市場網(wǎng) 登錄 | 免費注冊

您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > IPB015N08N5ATMA1

IPB015N08N5ATMA1 發(fā)布時間 時間�2025/4/27 11:45:30 查看 閱讀�25

IPB015N08N5ATMA1 是一款由 Infineon(英飛凌)生�(chǎn)� N 溝道功率 MOSFET 芯片。該芯片采用先進的溝槽式技�(shù)制造,具有低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�,適用于多種高效能功率轉(zhuǎn)換應(yīng)�。其額定電壓� 80V,持�(xù)漏極電流� 15A,封裝形式為 TO-263-3。這款器件在工�(yè)、汽車及消費類電子領(lǐng)域中被廣泛使用�

參數(shù)

最大漏源電壓:80V
  最大連續(xù)漏極電流�15A
  最大柵極閾值電壓:4V
  典型�(dǎo)通電阻:5.5mΩ
  總功耗:17W
  工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
  封裝類型:TO-263-3

特�

IPB015N08N5ATMA1 的主要特點是低導(dǎo)通電阻,僅為 5.5mΩ,這有助于減少功率損耗并提高效率。此外,它還具有快速開�(guān)能力,支持高頻操作,適合用于 DC-DC �(zhuǎn)換器和電機驅(qū)動等�(yīng)��
  該芯片的耐熱性能�(yōu)�,能夠在高達 175� 的結(jié)溫下可靠運行,同時其堅固的設(shè)計使其能夠承受瞬�(tài)過載條件。其采用的溝槽式 MOSFET 技�(shù)�(yōu)化了電荷載流子流動路徑,從而降低了�(dǎo)通和開關(guān)損��

�(yīng)�

IPB015N08N5ATMA1 主要�(yīng)用于需要高效率和高功率密度的場�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  - 開關(guān)電源(SMPS�
  - DC-DC �(zhuǎn)換器
  - 電機�(qū)�
  - 工業(yè)自動化設(shè)�
  - 電動工具
  - 汽車電子系統(tǒng)中的負載切換
  由于其出色的電氣特性和熱性能,該器件非常適合要求嚴格的功率管理場��

替代型號

IPD016N08N5ATMA1
  IPB015N08N3G
  IRFZ44N

ipb015n08n5atma1推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

ipb015n08n5atma1參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)貨查看交�
  • 價格1 : �57.40000剪切帶(CT�1,000 : �32.54937卷帶(TR�
  • 系列OptiMOS?
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�80 V
  • 25°C 時電� - 連續(xù)漏極 (Id)180A(Tc�
  • �(qū)動電壓(最� Rds On,最� Rds On�6V�10V
  • 不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值)1.5 毫歐 @ 100A�10V
  • 不同 Id � Vgs(th)(最大值)3.8V @ 279μA
  • 不同 Vgs 時柵極電�?(Qg)(最大值)222 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 時輸入電� (Ciss)(最大值)16900 pF @ 40 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)375W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�PG-TO263-7
  • 封裝/外殼TO-263-7,D2Pak�6 引線 + 接片�