IMW65R048M1HXKSA1 是一款由知名半導體制造商 Infineon(英飛凌)生�(chǎn)� MOSFET(金屬氧化物場效應晶體管�。該型號屬于 OptiMOS 系列,具有低導通電阻和高開關效率的特點。其設計適用于工�(yè)、汽車和消費電子領域中的功率轉換應用。這款 MOSFET 采用 TO-Leadless 封裝形式,具備出色的熱性能和電氣性能�
最大漏源電壓:65V
最大連續(xù)漏電流:48A
導通電阻(典型值)�1.2mΩ
柵極電荷�93nC
開關速度:快�
封裝類型:TO-Leadless (H7x7)
工作溫度范圍�-55� � +175�
IMW65R048M1HXKSA1 的主要特點是低導通電阻和高效率。其導通電阻僅� 1.2mΩ,能夠顯著降低功率損�,從而提高系�(tǒng)的整體效率。此�,該器件的柵極電荷較小,有助于實�(xiàn)更快的開關速度,進一步減少開關損耗�
� MOSFET 采用了先進的制造工�,確保了在高電流和高電壓條件下的�(wěn)定運�。同�,TO-Leadless 封裝形式不僅提高了散熱性能,還減少了寄生電感的影響,非常適合高頻開關應用�
此外,該器件的工作溫度范圍寬廣,能夠適應極端�(huán)境條�,適合工�(yè)和汽車領域的嚴苛應用場景�
IMW65R048M1HXKSA1 廣泛應用于各種高功率密度的場景中,包括但不限于以下領域:
- 開關電源 (SMPS) � DC/DC 轉換�
- 電機驅動和逆變�
- 太陽能逆變�
- 電動車和混合動力車中的牽引逆變�
- 工業(yè)自動化設備中的功率控制模�
由于其高效的性能和可靠性,該器件特別適合需要高效率和高功率密度的設��
IMW65R048M1HXA1, IRFH7272TRPBF, FDP8631