時間：2025/5/29 10:50:00
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IMW120R090M1H是來自Infineon（英飛凌）的一款N溝道增強型MOSFET功率晶體管。該器件屬于OptiMOS系列，采用TOLL封裝形式，專為高效率、高頻開關應用而設計。其低導通電阻和優(yōu)化的開關特性使其非常適合于服務器電源、電信整流器、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及電機驅(qū)動等場景。
最大漏源電壓：90V
連續(xù)漏極電流：120A
導通電阻：0.65mΩ
柵極電荷：83nC
反向恢復時間：8ns
工作結(jié)溫范圍：-55℃ to 175℃
IMW120R090M1H具有卓越的熱性能和電氣性能。它的超低導通電阻能夠顯著減少傳導損耗，同時優(yōu)化的柵極電荷和輸出電荷可有效降低開關損耗。
此外，該器件具備出色的雪崩能力和抗靜電能力，從而提高了系統(tǒng)可靠性。
TOLL封裝的設計支持更高的功率密度，并且通過底部焊盤實現(xiàn)高效散熱，非常適合要求嚴格的工業(yè)和汽車級應用。
其快速開關速度和低反向恢復時間也使得它在高頻操作中表現(xiàn)優(yōu)異，適合用于硬開關和軟開關拓撲結(jié)構(gòu)。
IMW120R090M1H廣泛應用于需要高效功率轉(zhuǎn)換的場景，包括但不限于：
- 高功率密度的服務器電源
- 數(shù)據(jù)中心及電信整流器
- 工業(yè)電機驅(qū)動與逆變器
- 太陽能逆變器中的功率轉(zhuǎn)換模塊
- 各類DC-DC轉(zhuǎn)換器和PFC電路
憑借其強大的電氣性能和可靠性，這款MOSFET能夠在多種高壓高頻環(huán)境中提供穩(wěn)定的表現(xiàn)。
IMW120R090T1_G, IPS66R090PFAA_LG
