IMP11 T110是一種基于砷化鎵(GaAs)工藝的單片微波集成電路(MMIC),主要用于低噪聲放大器(LNA)應(yīng)�。該芯片在高頻通信系統(tǒng)中表�(xiàn)出優(yōu)異的性能,適用于�(wèi)星通信、雷�(dá)以及無線通信等領(lǐng)域的信號接收前端。其�(shè)計旨在提供高增益、低噪聲和出色的線性度�
頻率范圍:DC�12GHz
增益�15dB
噪聲系數(shù)�1.3dB
輸入回波損耗:12dB
輸出回波損耗:12dB
電源電壓�+5V
工作電流�80mA
封裝形式:陶瓷貼�
IMP11 T110采用先�(jìn)的砷化鎵異質(zhì)�(jié)雙極晶體管(pHEMT)技�(shù)制�,具有卓越的射頻性能。它支持寬頻帶操�,能夠在直流�12GHz的頻率范圍內(nèi)保持�(wěn)定的增益和噪聲性能�
芯片�(nèi)置匹配網(wǎng)�(luò),簡化了外部電路�(shè)�,并提高了整體系�(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠��
此外,IMP11 T110具備較低的功耗和緊湊的封裝尺寸,非常適合對空間和效率有嚴(yán)格要求的�(yīng)用場��
該器件還具有良好的溫度穩(wěn)定�,在-55°C�+85°C的工作溫度范圍內(nèi)能夠保持一致的性能表現(xiàn)�
IMP11 T110廣泛�(yīng)用于需要高性能射頻信號放大的領(lǐng)�,包括:
1. �(wèi)星通信接收�(jī)
2. 雷達(dá)系統(tǒng)前端
3. 無線基礎(chǔ)�(shè)施設(shè)�
4. 測試與測量儀�
5. 軍事電子對抗系統(tǒng)
由于其寬廣的工作頻率范圍和優(yōu)異的低噪聲特�,IMP11 T110成為眾多高頻�(yīng)用的理想選擇�
IMP10 T110, IMP12 T110