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IMH23T110 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2023/3/10 14:46:49 查看 閱讀�636

    制造商: ROHM Semiconductor

    �(chǎn)品種�: �(shù)字晶體管

    配置: Dual

    

目錄

概述

    制造商: ROHM Semiconductor

    �(chǎn)品種�: �(shù)字晶體管

    配置: Dual

    晶體管極�: NPN

    典型輸入電阻�: 4.7 kOhms

    封裝 / 箱體: SMT-6

    直流電流增益 hFE 最小�: 820

    集電極—發(fā)射極最大電� VCEO: 20 V

    峰值直流集電極電流: 600 mA

    功率耗散: 300 mW

    封裝: Reel

    電流增益帶寬 fT: 150 MHz

    �(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 12 V

    安裝�(fēng)�: SMD/SMT


資料

廠商
ROHM Semiconductor

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imh23t110參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭晶體�(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓�
  • 系列-
  • 晶體管類�2 �(gè) NPN �(yù)偏壓式(雙)
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)600mA
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)20V
  • 電阻� - 基極 (R1)(歐�4.7k
  • 電阻� - �(fā)射極 (R2)(歐�-
  • 在某 Ic、Vce �(shí)的最小直流電流增� (hFE)820 @ 50mA�5V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)150mV @ 2.5mA�50mA
  • 電流 - 集電極截止(最大)-
  • 頻率 - �(zhuǎn)�150MHz
  • 功率 - 最�300mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼SC-74,SOT-457
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SMT6
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IMH23T110-NDIMH23T110TR