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IKW75N60T 發(fā)布時間 時間�2024/3/12 15:47:23 查看 閱讀�602

IKW75N60T是一款功率MOSFET晶體�,適用于高電壓和高電流的應用。它采用了最先進的N溝道增強型MOSFET技�,具有低導通電阻和低開關損�,能夠提供高效的功率轉換和放大�
  該晶體管的最大漏源電壓為600V,最大漏源電流為75A,使其適用于高功率應�,如電源供應、馬達驅動和逆變器等。此�,它還具有低導通電阻,僅為0.065Ω,能夠有效地降低功耗和溫度�
  IKW75N60T還具有快速開關特�,其開關時間僅為45ns,能夠提供快速響應和高頻率操�。此�,它還具有低輸入和輸出電�,有利于降低開關噪聲和提高系�(tǒng)效率�
  該晶體管采用TO-247封裝,可提供良好的散熱性能和機械強度,適合于工�(yè)和高可靠性應�。它還具有低溫漂移和低溫系數(shù),能夠在不同工作溫度下保持穩(wěn)定的性能�
  總之,IKW75N60T是一款高性能的功率MOSFET晶體�,具有高電壓和高電流的特點,適用于高功率應用。它的低導通電阻、快速開關特性和低輸入輸出電容等特點,使其成為電源供應、馬達驅動和逆變器等領域的理想選��

參數(shù)指標

最大漏源電壓:600V
  最大漏源電流:75A
  導通電阻:0.065Ω
  開關時間�45ns
  封裝類型:TO-247

組成結構

IKW75N60T采用N溝道增強型MOSFET技術。它由P型襯�、N型漏�、N型源極和柵極組成。柵極與漏極之間通過氧化物絕緣層隔離�

工作原理

當柵極電壓高于閾值電壓時,MOSFET處于導通態(tài)。此�,電流從漏極流向源極,導通電阻很�。當柵極電壓低于閾值電壓時,MOSFET處于截止�(tài),電流無法通過�

技術要�

高電壓和高電流能力:IKW75N60T適用于高功率應用,能夠承受高電壓和高電流�
  低導通電阻:IKW75N60T的導通電阻很低,能夠降低功耗和溫度�
  快速開關特性:IKW75N60T具有快速開關特性,能夠提供快速響應和高頻率操��
  低輸入和輸出電容:IKW75N60T具有低輸入和輸出電容,有利于降低開關噪聲和提高效��
  TO-247封裝:IKW75N60T采用TO-247封裝,具有良好的散熱性能和機械強��

設計流程

設計使用IKW75N60T的電路時,首先確定所需的電壓和電流參數(shù)。然后根�(jù)電路要求選擇適當?shù)尿寗与娐泛捅Wo電路。最后進行電路連接和布�,確保合理的散熱和電路安��

常見故障及預防措�

過熱:在高功率應用中,MOSFET可能會因過熱而損�。預防措施包括合理設計散熱系�(tǒng)、使用散熱器和風扇等�
  過電流:過大的電流可能使MOSFET受到損壞。預防措施包括合理設計電路、使用過流保護電路等�
  靜電擊穿:靜電可能導致MOSFET損壞。預防措施包括使用防靜電手套和工�,確保正確的接地�

ikw75n60t推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

ikw75n60t資料 更多>

  • 型號
  • 描述
  • 品牌
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ikw75n60t參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表IKW75N60T
  • 標準包裝240
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭IGBT - 單路
  • 系列TrenchStop™
  • IGBT 類型溝道和場截止
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)600V
  • Vge, Ic時的最大Vce(開�2V @ 15V�75A
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)80A
  • 功率 - 最�428W
  • 輸入類型標準�
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-247-3
  • 供應商設備封�PG-TO247-3
  • 包裝管件
  • 其它名稱SP000054889