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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > IKW50N65F5

IKW50N65F5 發(fā)布時間 時間�2025/5/7 9:55:45 查看 閱讀�29

IKW50N65F5是英飛凌(Infineon)推出的一款N溝道增強型MOSFET,屬于CoolMOS系列。該器件采用先進的半導(dǎo)體工藝制造,具有低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和出色的熱性能,非常適合用于開�(guān)電源、電機驅(qū)�、DC-DC�(zhuǎn)換器以及其它高頻功率�(zhuǎn)換應(yīng)�。其額定電壓�650V,能夠承受較高的漏源極電�,確保在高壓�(huán)境下的可靠運行�
  IKW50N65F5的封裝形式為TO-247-3,這種封裝方式有助于提高散熱性能,并支持大電流操�。此�,這款MOSFET還具備較低的柵極電荷和輸出電�,從而優(yōu)化了開關(guān)損�,使其在高頻�(yīng)用中表現(xiàn)出色�

參數(shù)

最大漏源電壓:650V
  連續(xù)漏極電流�50A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�130mΩ
  柵極電荷(Qg):85nC
  總電容(Ciss):2250pF
  輸出電容(Crss):390pF
  輸入電容(Ciss):2250pF
  工作�(jié)溫范圍:-55� to +175�

特�

IKW50N65F5的主要特性包括:
  1. 高額定電�650V,適用于各種高壓場景�
  2. 低導(dǎo)通電阻(Rds(on)),減少�(dǎo)通損�,提高效率�
  3. 極低的柵極電荷和輸出電容,降低開�(guān)損�,提升開�(guān)速度�
  4. 良好的熱性能,采用TO-247-3封裝,有效管理熱��
  5. 寬廣的工作結(jié)溫范圍(-55℃到+175℃),適�(yīng)惡劣�(huán)境條��
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
  7. 出色的雪崩能�,增強可靠性�

�(yīng)�

IKW50N65F5適用于以下應(yīng)用場景:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)設(shè)計中的功率開�(guān)元件�
  2. 工業(yè)電機�(qū)動和控制中的逆變器電��
  3. 各種類型的DC-DC�(zhuǎn)換器,如降壓或升壓拓撲結(jié)�(gòu)�
  4. 太陽能逆變器中的功率級組件�
  5. 電動汽車和混合動力汽車的充電系統(tǒng)�
  6. 其他需要高效功率轉(zhuǎn)換和控制的應(yīng)用領(lǐng)��

替代型號

IKW50N65H5,
  IKW50N65P5,
  IPP50N65S5

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