IKW25N120H3是由英飛凌(Infineon)生�(chǎn)的MOSFET功率晶體�,屬于CoolMOS系列。該器件采用先進的溝槽式MOSFET技�,具有低導通電阻和高開關速度的特性,適用于高頻開關應�。其額定電壓�1200V,持�(xù)漏極電流�25A(在25℃時�。IKW25N120H3廣泛應用于功率轉�、逆變�、電機驅動以及太陽能逆變器等領域�
該器件的主要�(yōu)勢在于其卓越的效率表�(xiàn)和出色的熱性能,同時具備較低的柵極電荷和輸出電�,從而降低了開關損耗并提升了系�(tǒng)整體效率�
最大漏源電壓:1200V
最大連續(xù)漏極電流�25A
最大漏源擊穿電壓:1200V
最大柵源電壓:±20V
導通電阻(典型值)�180mΩ
總柵極電荷:70nC
輸出電容�1640pF
工作結溫范圍�-55℃至+175�
IKW25N120H3采用了英飛凌的第三代CoolMOS技�,具備以下顯著特點:
1. 極低的導通電�,能夠在高壓條件下提供高效的工作狀�(tài)�
2. 高速開關能�,得益于低柵極電荷和輸出電荷設計�
3. 出色的熱�(wěn)定�,在高溫�(huán)境下也能保持�(wěn)定運��
4. 超低反向恢復電荷,進一步減少開關過程中的能量損失�
5. 符合RoHS標準,環(huán)保且支持無鉛焊接工藝�
這些特性使得該器件非常適合要求高效�、高可靠性的電力電子應用場景�
IKW25N120H3主要應用于需要高效功率轉換的領域,包括但不限于:
1. 開關電源(SMPS�
2. 太陽能逆變�
3. 電動車輛的車載充電器
4. 工業(yè)電機驅動
5. 不間斷電源(UPS�
6. PFC(功率因�(shù)校正)電�
7. 高頻DC-DC轉換�
由于其高壓耐受能力和高效的開關特�,該器件能夠勝任多種嚴苛�(huán)境下的功率控制任務�
IKW24N120H3
IKW26N120H3
IPW25N120H3L