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IKP20N60T 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/22 12:11:53 查看 閱讀�19

IKP20N60T是英飛凌(Infineon)公司生�(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用TO-247封裝,適用于高電�、大電流的開(kāi)�(guān)�(yīng)用場(chǎng)合。其主要特點(diǎn)包括低導(dǎo)通電�、高�(kāi)�(guān)速度和出色的熱性能,廣泛用于電�(jī)�(qū)�(dòng)、開(kāi)�(guān)電源、逆變器以及其他工�(yè)電子�(shè)備中�
  這款MOSFET的最大漏源電壓為600V,能夠承受較高的電壓波動(dòng),同�(shí)其連續(xù)漏極電流可達(dá)20A(在特定的工作條件下�,確保了在各種復(fù)雜電路中的穩(wěn)定運(yùn)��

參數(shù)

最大漏源電壓:600V
  連續(xù)漏極電流�20A
  �(dǎo)通電阻:1.8Ω(典型值,在Vgs=10V�(shí)�
  柵極電荷�45nC(典型值)
  輸入電容�3200pF(典型值)
  �(kāi)�(guān)�(shí)間:ton=89ns,toff=75ns(典型值)
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至+150�
  封裝形式:TO-247

特�

IKP20N60T具有以下顯著特性:
  1. 高電壓能力:600V的漏源電壓使其適合應(yīng)用于高壓�(huán)�,例如工�(yè)�(shè)備或汽車(chē)�(lǐng)��
  2. 大電流承載能力:20A的連續(xù)漏極電流可以�(mǎn)足大功率�(yīng)用的需��
  3. 低導(dǎo)通電阻:典型值為1.8Ω,有助于減少�(dǎo)通損�,提高系�(tǒng)效率�
  4. 快速開(kāi)�(guān)特性:具備較低的柵極電荷和快速的�(kāi)�(guān)�(shí)�,能有效降低�(kāi)�(guān)損��
  5. 出色的熱性能:得益于TO-247封裝的高效散熱設(shè)�(jì),能夠確保器件在高溫下的�(wěn)定��
  6. 寬溫度范圍:支持�-55℃到+150℃的工作�(jié)溫,適應(yīng)多種極端�(huán)��

�(yīng)�

IKP20N60T因其高性能和可靠�,被廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS):用于AC-DC或DC-DC�(zhuǎn)換器中,提供高效的功率轉(zhuǎn)��
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng):可用于控制直流�(wú)刷電�(jī)(BLDC)或其他�(lèi)型電�(jī)的運(yùn)行�
  3. 工業(yè)逆變器:在太�(yáng)能逆變器或其他�(lèi)型的電力�(zhuǎn)換設(shè)備中�(fā)揮重要作��
  4. 電動(dòng)�(chē)及混合動(dòng)力車(chē):用作車(chē)載充電器、DC-DC�(zhuǎn)換器等關(guān)鍵部件中的功率開(kāi)�(guān)�
  5. 其他大功率開(kāi)�(guān)�(yīng)用:如電磁閥�(qū)�(dòng)、繼電器替代等場(chǎng)��

替代型號(hào)

IKP20N60L, IRFP460, STP20N60F7

ikp20n60t推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
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ikp20n60t參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表IKP20N60T
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝500
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭IGBT - 單路
  • 系列TrenchStop™
  • IGBT �(lèi)�溝道和場(chǎng)截止
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)600V
  • Vge, Ic�(shí)的最大Vce(開(kāi)�2.05V @ 15V�20A
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)40A
  • 功率 - 最�166W
  • 輸入�(lèi)��(biāo)�(zhǔn)�
  • 安裝�(lèi)�通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�PG-TO220-3
  • 包裝管件
  • 其它名稱(chēng)SP000683066