IHW30N160R5是一款基于MOSFET技術的高壓功率晶體�,適用于高效率電源轉換和電機驅動應用。該器件采用先進的制造工�,具有較低的導通電阻和較高的開關速度,從而在高頻開關條件下表�(xiàn)出優(yōu)異的性能�
該產(chǎn)品屬于Infineon(英飛凌)Hybrid IGBT系列,融合了MOSFET與IGBT的優(yōu)�,能夠提供更高的電流密度和更�(yōu)的熱管理特�。其典型應用場景包括工業(yè)逆變器、不間斷電源(UPS)以及太陽能逆變器等�
最大漏源電壓:1600V
最大連續(xù)漏極電流�30A
導通電阻:1.5Ω
柵極電荷�150nC
開關頻率:高�100kHz
工作溫度范圍�-40� to +150�
IHW30N160R5具備以下顯著特點�
1. 極低的導通電阻確保在大電流條件下減少功率損耗�
2. 高壓耐受能力使其適用于各種惡劣環(huán)境下的電力電子系�(tǒng)�
3. 快速開關速度有助于降低開關損�,并提升整體效率�
4. 內置反并�(lián)二極�,進一步優(yōu)化續(xù)流功�,減少外部元件需求�
5. 熱穩(wěn)定性強,能夠在較寬的工作溫度范圍內保持�(wěn)定的性能表現(xiàn)�
6. 具備良好的短路耐受能力,提升了系統(tǒng)的可靠性和安全��
這款芯片廣泛應用于多個領域:
1. 工業(yè)設備中的變頻器和伺服驅動器�
2. 太陽能逆變器以實現(xiàn)高效的光伏能量轉��
3. 不間斷電�(UPS)系統(tǒng)中的功率轉換模塊�
4. 電動汽車(EV)充電站及車載充電��
5. 高壓直流輸電(HVDC)相關的電力傳輸設��
6. 各類需要高壓大電流處理的定制化電源解決方案�
IHW30N120R2, IRGB30B120D1, C2M0075120D