IGW75N60T是一款高壓MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、逆變器等功率�(zhuǎn)換領(lǐng)�。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的開(kāi)�(guān)速度,能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率�
該型�(hào)中的�75”代表其最大漏源極電壓�75V,“N”表示這是一款N溝道MOSFET,�60”則通常與電流或功率參數(shù)相關(guān)�(lián)。它適合在高頻開(kāi)�(guān)條件下使�,并且具備良好的熱性能和可靠��
最大漏源極電壓�75V
最大連續(xù)漏極電流�60A
�(dǎo)通電阻:3.5mΩ
柵極電荷�120nC
輸入電容�3200pF
工作溫度范圍�-55℃至+175�
封裝形式:TO-247
IGW75N60T的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,可顯著減少傳導(dǎo)損��
2. 高效的開(kāi)�(guān)性能,適用于高頻�(yīng)用環(huán)��
3. �(qiáng)大的雪崩能力,提高了器件在異常條件下的魯棒性�
4. 良好的熱�(wěn)定性和耐熱循環(huán)能力�
5. 緊湊型封裝設(shè)�(jì),便于安裝和散熱管理�
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛材��
這款MOSFET非常適合以下�(yīng)用場(chǎng)景:
1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS)中的主�(kāi)�(guān)或同步整流元��
2. 工業(yè)�(shè)備中的電�(jī)控制和驅(qū)�(dòng)電路�
3. 太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源系�(tǒng)中的功率�(zhuǎn)換模塊�
4. 電動(dòng)車及混合�(dòng)力車的動(dòng)力電子系�(tǒng)�
5. 各類�(fù)載切換和保護(hù)電路,如�(guò)流保�(hù)、短路保�(hù)��
IGW75N60H
IRF7560
FDP068N07L