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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > IGW75N60T

IGW75N60T 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/20 9:01:21 查看 閱讀�20

IGW75N60T是一款高壓MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、逆變器等功率�(zhuǎn)換領(lǐng)�。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的開(kāi)�(guān)速度,能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率�
  該型�(hào)中的�75”代表其最大漏源極電壓�75V,“N”表示這是一款N溝道MOSFET,�60”則通常與電流或功率參數(shù)相關(guān)�(lián)。它適合在高頻開(kāi)�(guān)條件下使�,并且具備良好的熱性能和可靠��

參數(shù)

最大漏源極電壓�75V
  最大連續(xù)漏極電流�60A
  �(dǎo)通電阻:3.5mΩ
  柵極電荷�120nC
  輸入電容�3200pF
  工作溫度范圍�-55℃至+175�
  封裝形式:TO-247

特�

IGW75N60T的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,可顯著減少傳導(dǎo)損��
  2. 高效的開(kāi)�(guān)性能,適用于高頻�(yīng)用環(huán)��
  3. �(qiáng)大的雪崩能力,提高了器件在異常條件下的魯棒性�
  4. 良好的熱�(wěn)定性和耐熱循環(huán)能力�
  5. 緊湊型封裝設(shè)�(jì),便于安裝和散熱管理�
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛材��

�(yīng)�

這款MOSFET非常適合以下�(yīng)用場(chǎng)景:
  1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS)中的主�(kāi)�(guān)或同步整流元��
  2. 工業(yè)�(shè)備中的電�(jī)控制和驅(qū)�(dòng)電路�
  3. 太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源系�(tǒng)中的功率�(zhuǎn)換模塊�
  4. 電動(dòng)車及混合�(dòng)力車的動(dòng)力電子系�(tǒng)�
  5. 各類�(fù)載切換和保護(hù)電路,如�(guò)流保�(hù)、短路保�(hù)��

替代型號(hào)

IGW75N60H
  IRF7560
  FDP068N07L

igw75n60t推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

igw75n60t資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
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igw75n60t參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表IGW75N60T
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝240
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭IGBT - 單路
  • 系列TrenchStop™
  • IGBT 類型溝道和場(chǎng)截止
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)600V
  • Vge, Ic�(shí)的最大Vce(開(kāi)�2V @ 15V�75A
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)150A
  • 功率 - 最�428W
  • 輸入類型�(biāo)�(zhǔn)�
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-247-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�PG-TO247-3
  • 包裝管件
  • 其它名稱SP000054927