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IGW30N65L5 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/3 20:21:00 查看 閱讀�8

IGW30N65L5 是一款由 Infineon(英飛凌)生�(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件采用先�(jìn)� TRENCHSTOP? 技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特�,適用于高效�、高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)�。其耐壓值為 650V,持�(xù)漏極電流� 30A(在 25°C 下),能夠滿(mǎn)足工�(yè)和汽�(chē)�(lǐng)�?qū)Ω邏汗β兽D(zhuǎn)換的�(yán)格要��
  IGW30N65L5 使用 TO-247 封裝形式,便于散熱和安裝,適合各種高功率密度�(shè)�(jì)�(chǎng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:650V
  最大連續(xù)漏極電流�30A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�150mΩ
  柵極電荷(典型值)�85nC
  輸入電容(典型值)�1650pF
  最大功耗:314W
  工作溫度范圍�-55°C � +150°C
  封裝形式:TO-247

特�

IGW30N65L5 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于減少傳�(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 快速開(kāi)�(guān)速度和低柵極電荷,能夠降低開(kāi)�(guān)損��
  3. �(nèi)置反向恢�(fù)二極�,具備快速恢�(fù)�(shí)間和低反向恢�(fù)電荷,非常適合硬�(kāi)�(guān)�(yīng)��
  4. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電子設(shè)�(jì)��
  5. 高雪崩能力,確保在過(guò)載或短路情況下具有更高的可靠��
  6. �(yōu)化的熱性能�(shè)�(jì),可有效管理器件�(yùn)行時(shí)的溫��
  7. 耐受能力�(qiáng),支持高 dv/dt � di/dt �(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)��

�(yīng)�

IGW30N65L5 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 工業(yè)電源� UPS 系統(tǒng)中的逆變器和整流��
  2. 太陽(yáng)能逆變器的核心功率�(zhuǎn)換模塊�
  3. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)和 DC-DC �(zhuǎn)換器的設(shè)�(jì)�
  4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和控制電路中的功率級(jí)組件�
  5. 電動(dòng)汽車(chē)充電站及�(chē)載充電器的關(guān)鍵元��
  6. 各種需要高效功率管理的工業(yè)自動(dòng)化設(shè)��

替代型號(hào)

IGBT30N65C5H, IRFP460, FGA25N65SMD

igw30n65l5推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)