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IFX20001MBV50 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/8 18:13:33 查看 閱讀�30

IFX20001MBV50 是一款由英飛凌(Infineon)生�(chǎn)的功率MOSFET芯片,屬于OptiMOS系列。該�(chǎn)品采用先�(jìn)的制程技�(shù)制�,具有低�(dǎo)通電�、高效率和卓越的熱性能等特�(diǎn),廣泛應(yīng)用于各類(lèi)�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載切換等�(chǎng)��
  這款MOSFET采用N溝道增強(qiáng)型設(shè)�(jì),能夠提供快速的�(kāi)�(guān)速度和較低的�(kāi)�(guān)損�,非常適合高頻應(yīng)用環(huán)境。其�(jiān)固的封裝�(shè)�(jì)確保了在惡劣工作條件下的可靠性和�(wěn)定��

參數(shù)

型號(hào):IFX20001MBV50
  �(lèi)型:N溝道功率MOSFET
  額定電壓�50V
  額定電流�30A
  �(dǎo)通電阻:1.4mΩ(典型�,在特定條件下)
  柵極電荷�65nC(最大�,在特定條件下)
  連續(xù)漏極電流�30A(@25°C�
  總功耗:28W(@Tc=25°C�
  封裝形式:D2PAK-7 (TO-263-7)
  工作溫度范圍�-55°C�175°C

特�

IFX20001MBV50的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電�,可有效降低傳導(dǎo)損耗,提高系統(tǒng)效率�
  2. 高效的熱管理能力,通過(guò)�(yōu)化的封裝�(shè)�(jì)�(shí)�(xiàn)更好的散熱性能�
  3. 快速的�(kāi)�(guān)速度,減少了�(kāi)�(guān)�(guò)程中的能量損��
  4. 具備�(qiáng)大的雪崩能力和短路耐受能力,增�(qiáng)了器件的魯棒��
  5. 寬泛的工作溫度范�,能夠在極端�(huán)境下保持�(wěn)定運(yùn)��
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合各種工業(yè)�(yīng)用場(chǎng)��

�(yīng)�

IFX20001MBV50適用于多種電力電子領(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS),如AC-DC適配器和充電��
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,用于家用電器、工�(yè)�(shè)備以及電�(dòng)�(chē)�
  3. 直流-直流�(zhuǎn)換器,為通信基站和其他電子設(shè)備供��
  4. 電池保護(hù)和管理系�(tǒng),用于防止過(guò)充或�(guò)��
  5. 各類(lèi)�(fù)載切換和保護(hù)電路,以確保系統(tǒng)的安全性和可靠��

替代型號(hào)

IRF3205
  FDP5800
  STP30NF50

ifx20001mbv50推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
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  • 詢價(jià)