IFX20001MBV50 是一款由英飛凌(Infineon)生�(chǎn)的功率MOSFET芯片,屬于OptiMOS系列。該�(chǎn)品采用先�(jìn)的制程技�(shù)制�,具有低�(dǎo)通電�、高效率和卓越的熱性能等特�(diǎn),廣泛應(yīng)用于各類(lèi)�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載切換等�(chǎng)��
這款MOSFET采用N溝道增強(qiáng)型設(shè)�(jì),能夠提供快速的�(kāi)�(guān)速度和較低的�(kāi)�(guān)損�,非常適合高頻應(yīng)用環(huán)境。其�(jiān)固的封裝�(shè)�(jì)確保了在惡劣工作條件下的可靠性和�(wěn)定��
型號(hào):IFX20001MBV50
�(lèi)型:N溝道功率MOSFET
額定電壓�50V
額定電流�30A
�(dǎo)通電阻:1.4mΩ(典型�,在特定條件下)
柵極電荷�65nC(最大�,在特定條件下)
連續(xù)漏極電流�30A(@25°C�
總功耗:28W(@Tc=25°C�
封裝形式:D2PAK-7 (TO-263-7)
工作溫度范圍�-55°C�175°C
IFX20001MBV50的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電�,可有效降低傳導(dǎo)損耗,提高系統(tǒng)效率�
2. 高效的熱管理能力,通過(guò)�(yōu)化的封裝�(shè)�(jì)�(shí)�(xiàn)更好的散熱性能�
3. 快速的�(kāi)�(guān)速度,減少了�(kāi)�(guān)�(guò)程中的能量損��
4. 具備�(qiáng)大的雪崩能力和短路耐受能力,增�(qiáng)了器件的魯棒��
5. 寬泛的工作溫度范�,能夠在極端�(huán)境下保持�(wěn)定運(yùn)��
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合各種工業(yè)�(yīng)用場(chǎng)��
IFX20001MBV50適用于多種電力電子領(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS),如AC-DC適配器和充電��
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,用于家用電器、工�(yè)�(shè)備以及電�(dòng)�(chē)�
3. 直流-直流�(zhuǎn)換器,為通信基站和其他電子設(shè)備供��
4. 電池保護(hù)和管理系�(tǒng),用于防止過(guò)充或�(guò)��
5. 各類(lèi)�(fù)載切換和保護(hù)電路,以確保系統(tǒng)的安全性和可靠��
IRF3205
FDP5800
STP30NF50