IDT7203L20TDB是一款由Integrated Device Technology (IDT) 公司生產(chǎn)的同步靜�(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM�。這款芯片采用低功耗設(shè)�(jì),適合對(duì)速度和功耗要求較高的�(yīng)�。其組織方式�16K x 18位,�?cè)萘繛?88千比特(kb�。該器件支持高速數(shù)�(jù)傳輸,同�(shí)提供較低的運(yùn)行功�,非常適合通信、網(wǎng)�(luò)�(shè)備以及工�(yè)控制等領(lǐng)域的�(yīng)��
IDT7203L系列屬于Zero Bus Turnaround (ZBT) 類型的SRAM,這意味著地址和數(shù)�(jù)總線可以�(shí)�(xiàn)無縫切換而無需額外的延�。這種特性使得它成為高性能系統(tǒng)的理想選擇�
類型:同步SRAM
容量�16K x 18位(288 kb�
接口:ZBT(Zero Bus Turnaround�
工作電壓�2.5V
訪問�(shí)間:20ns
封裝形式:TQFP100
工作溫度范圍�-40°C�+85°C
引腳�(shù)�100
�(shù)�(jù)寬度�18�
IDT7203L20TDB采用了先�(jìn)的CMOS制造工�,具備以下特�(diǎn)�
1. 高速操作:20ns的訪問時(shí)間保證了快速的�(shù)�(jù)交換能力�
2. 低功耗:在典型的工作條件�,該芯片具有非常低的�(dòng)�(tài)和靜�(tài)功��
3. ZBT功能:實(shí)�(xiàn)了地址和數(shù)�(jù)總線的零延遲切換,從而提高了系統(tǒng)效率�
4. 可靠性高:經(jīng)過嚴(yán)格的�(cè)試流程,確保了長(zhǎng)期使用的�(wěn)定��
5. 廣泛的工作溫度范圍:能夠適應(yīng)各種�(huán)境條件下的使用需��
6. 封裝緊湊:TQFP100封裝使其易于集成到現(xiàn)有的電路板設(shè)�(jì)��
IDT7203L20TDB主要用于需要高性能�(nèi)存的�(chǎng)�,例如:
1. �(wǎng)�(luò)路由器和交換�(jī)中的緩沖存儲(chǔ)�
2. 工業(yè)自動(dòng)化控制系�(tǒng)中的臨時(shí)�(shù)�(jù)存儲(chǔ)�
3. �(yī)療成像設(shè)備中的高速數(shù)�(jù)處理�
4. �(cè)試與�(cè)�?jī)x器中的實(shí)�(shí)�(shù)�(jù)采集�
5. 電信基礎(chǔ)�(shè)施設(shè)備中的緩存管��
6. 嵌入式系�(tǒng)中的�(guān)鍵任�(wù)�(shù)�(jù)存儲(chǔ)�
IDT72V3L20TDB, IDT72V3L25TDB