IDT7164S20TDB是一種靜�(tài)RAM(SRAM)芯�,屬于IDT公司生產(chǎn)的高�、低功耗存�(chǔ)器系�。該器件具有64K x 8位的存儲(chǔ)容量,支持快速讀寫操�,廣泛應(yīng)用于需要高�(shù)�(jù)吞吐量和�(wěn)定性能的系�(tǒng)��
該芯片采用CMOS工藝制�,具有低功耗特性和出色的電氣性能。它兼容多種總線架構(gòu),適合用作高速緩沖存�(chǔ)器或臨時(shí)�(shù)�(jù)存儲(chǔ)。此�,IDT7164S20TDB提供工業(yè)�(jí)工作溫度范圍,確保在各種�(huán)境下的可靠運(yùn)��
存儲(chǔ)容量�64K x 8�
訪問(wèn)�(shí)間:10 ns
供電電壓�5V
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
封裝形式:TQFP
�(shù)�(jù)保持�(shí)間:�(wú)�
功耗:典型�200 mW
引腳�(shù)�44
輸入輸出配置:三�(tài)輸出
IDT7164S20TDB具有以下主要特性:
1. 高速訪�(wèn)�(shí)�,能夠滿足實(shí)�(shí)處理的需求�
2. �(nèi)置自刷新功能,確保數(shù)�(jù)完整性�
3. 支持異步讀寫操�,簡(jiǎn)化了與外部處理器的接口設(shè)�(jì)�
4. 提供全面的數(shù)�(jù)保護(hù)�(jī)�,避免因電源波動(dòng)�(dǎo)致的�(shù)�(jù)丟失�
5. 兼容JEDEC�(biāo)�(zhǔn),便于與其他系統(tǒng)組件集成�
6. 工業(yè)�(jí)溫度范圍,適�(yīng)惡劣的工作環(huán)境�
7. CMOS工藝制�,具備低功耗優(yōu)�(shì)�
IDT7164S20TDB適用于多種高性能電子系統(tǒng),包括但不限于:
1. 工業(yè)控制�(shè)備中的高速緩存存�(chǔ)�
2. 通信�(shè)備中的數(shù)�(jù)緩沖�
3. �(yī)療儀器中的臨�(shí)�(shù)�(jù)存儲(chǔ)�
4. 嵌入式系�(tǒng)中的程序和數(shù)�(jù)存儲(chǔ)�
5. �(cè)試測(cè)量設(shè)備中的高速數(shù)�(jù)采集與處��
該芯片憑借其高速度和穩(wěn)定�,在需要頻繁讀寫操作的�(yīng)用場(chǎng)景中表現(xiàn)尤為突出�
IDT7164BM20TDB
IDT7164BM20TLC
CY7C164A-10LC
HM628128-10PU