IDT71256S45L32B是一款由Integrated Device Technology (IDT)公司生產(chǎn)的同步靜�(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)�(SRAM),該器件采用高速CMOS技�(shù)制造,具備低功耗和高性能的特�(diǎn)。這款SRAM具有512K x 18位的存儲(chǔ)容量,支持多種應(yīng)用場(chǎng)合下的快速數(shù)�(jù)訪問(wèn)需求。此�,它采用了標(biāo)�(zhǔn)的同步接�,允許與各種微處理器、數(shù)字信�(hào)處理器以及其他系�(tǒng)控制器無(wú)縫連接�
IDT71256S45L32B的工作電壓范圍為2.5V�3.6V,非常適合需要在較寬電壓范圍�(nèi)�(yùn)行的�(yīng)用場(chǎng)景。其封裝形式為FBGA(Fine-Pitch Ball Grid Array�,有助于提高電路板布局的靈活性,并優(yōu)化信�(hào)完整��
存儲(chǔ)容量�512K x 18�
工作電壓�2.5V � 3.6V
�(shù)�(jù)訪問(wèn)�(shí)間:4.5ns
封裝類型:FBGA
引腳�(shù)�400
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
�(shù)�(jù)總線寬度�18�
�(shí)鐘頻率:最�222MHz
提供極快的數(shù)�(jù)訪問(wèn)速度,典型值為4.5ns,這使得其成為高性能�(jì)算和�(shí)�(shí)處理�(yīng)用的理想選擇�
該芯片內(nèi)置了�(qiáng)大的節(jié)能功�,包括自�(dòng)斷電模式和低功耗待�(jī)模式,可有效減少不必要的功率消耗�
其同步接口設(shè)�(jì)確保了與�(xiàn)代系�(tǒng)的兼容�,同�(shí)提供了高度可靠的�(shù)�(jù)傳輸能力�
此外,IDT71256S45L32B還具備強(qiáng)大的抗干擾能�,在噪聲密集的環(huán)境下也能�(wěn)定工作�
由于采用了先�(jìn)的CMOS工藝,該芯片不僅具備較低的靜�(tài)電流,還能夠在高頻操作下維持�(wěn)定的性能表現(xiàn)�
廣泛�(yīng)用于�(duì)�(shù)�(jù)速率要求較高的領(lǐng)域,例如�(wǎng)�(luò)交換�(shè)�、路由器、基站、圖像處理以及視頻編輯等�(yīng)用中。它也常用于需要快速緩存和臨時(shí)�(shù)�(jù)存儲(chǔ)的場(chǎng)�,如工業(yè)控制、醫(yī)療成像設(shè)備和�(cè)試測(cè)�?jī)x��
此外,由于其低功耗特性和高可靠�,該器件也適合便攜式�(shè)備和電池供電系統(tǒng)中的�(yīng)��
IDT71V256A45L32B, IDT71256S50L32B