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IDT71256S35TDB 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/29 14:57:51 查看 閱讀�30

IDT71256S35TDB是Integrated Device Technology (IDT) 公司生產(chǎn)的一款高�、低功耗的SRAM(靜�(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)芯片。該芯片具有512K x 8位的存儲(chǔ)容量,采用先�(jìn)的CMOS工藝制�,支持高頻率操作和快速數(shù)�(jù)訪問(wèn)。其�(shè)�(jì)特別適合需要高性能和低功耗的�(yīng)用場(chǎng)��
  IDT71256S35TDB采用了TSOP40封裝形式,提供卓越的電氣特性和�(wěn)定�。這款SRAM芯片適用于各種工�(yè)�(jí)和消�(fèi)�(jí)�(yīng)�,例如網(wǎng)�(luò)�(shè)備、通信系統(tǒng)、圖像處�、醫(yī)療設(shè)備以及嵌入式控制系統(tǒng)��

參數(shù)

類型:SRAM
  存儲(chǔ)容量�512K x 8�
  �(shù)�(jù)寬度�8�
  核心電壓�3.3V
  工作電流:典型值為50mA
  待機(jī)電流:典型值為10μA
  訪問(wèn)�(shí)間:最高可�(dá)7ns
  封裝形式:TSOP40
  工作溫度范圍�-40°C�+85°C
  引腳�(shù)�40

特�

IDT71256S35TDB的主要特性包括:
  1. 高速操作能�,支持高�(dá)143MHz的時(shí)鐘頻率�
  2. 低功耗設(shè)�(jì),在待機(jī)模式下能夠顯著降低能��
  3. 提供快速的�(shù)�(jù)訪問(wèn)�(shí)間(7ns),以滿足實(shí)�(shí)�(yīng)用需��
  4. �(wěn)定的工作溫度范圍,適�(yīng)多種�(huán)境條件�
  5. 引腳兼容性良�,便于與其他系統(tǒng)組件集成�
  6. 具備單周期寫入功�,簡(jiǎn)化了�(shù)�(jù)管理流程�
  7. 支持異步讀/寫操�,提高了靈活性和易用性�
  8. 可靠的抗干擾性能,確保在�(fù)雜電磁環(huán)境中�(wěn)定運(yùn)行�

�(yīng)�

IDT71256S35TDB廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(wǎng)�(luò)�(shè)備中的高速緩存和�(shù)�(jù)緩沖�
  2. 通信系統(tǒng)中的臨時(shí)�(shù)�(jù)存儲(chǔ)和處��
  3. 圖像處理�(lǐng)域的幀緩沖和像�?cái)?shù)�(jù)暫存�
  4. �(yī)療設(shè)備中的實(shí)�(shí)�(shù)�(jù)采集和分��
  5. 嵌入式控制系�(tǒng)的程序存�(chǔ)和變量緩��
  6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的狀�(tài)信息保存�
  7. 游戲�(shè)備和其他消費(fèi)電子�(chǎn)品中的圖形處理支持�

替代型號(hào)

IDT71V256SA35TDB, IS61WV51216BLL-10TI

idt71256s35tdb推薦供應(yīng)� 更多>

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  • 供應(yīng)�
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