IDT71256S35TDB是Integrated Device Technology (IDT) 公司生產(chǎn)的一款高�、低功耗的SRAM(靜�(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)芯片。該芯片具有512K x 8位的存儲(chǔ)容量,采用先�(jìn)的CMOS工藝制�,支持高頻率操作和快速數(shù)�(jù)訪問(wèn)。其�(shè)�(jì)特別適合需要高性能和低功耗的�(yīng)用場(chǎng)��
IDT71256S35TDB采用了TSOP40封裝形式,提供卓越的電氣特性和�(wěn)定�。這款SRAM芯片適用于各種工�(yè)�(jí)和消�(fèi)�(jí)�(yīng)�,例如網(wǎng)�(luò)�(shè)備、通信系統(tǒng)、圖像處�、醫(yī)療設(shè)備以及嵌入式控制系統(tǒng)��
類型:SRAM
存儲(chǔ)容量�512K x 8�
�(shù)�(jù)寬度�8�
核心電壓�3.3V
工作電流:典型值為50mA
待機(jī)電流:典型值為10μA
訪問(wèn)�(shí)間:最高可�(dá)7ns
封裝形式:TSOP40
工作溫度范圍�-40°C�+85°C
引腳�(shù)�40
IDT71256S35TDB的主要特性包括:
1. 高速操作能�,支持高�(dá)143MHz的時(shí)鐘頻率�
2. 低功耗設(shè)�(jì),在待機(jī)模式下能夠顯著降低能��
3. 提供快速的�(shù)�(jù)訪問(wèn)�(shí)間(7ns),以滿足實(shí)�(shí)�(yīng)用需��
4. �(wěn)定的工作溫度范圍,適�(yīng)多種�(huán)境條件�
5. 引腳兼容性良�,便于與其他系統(tǒng)組件集成�
6. 具備單周期寫入功�,簡(jiǎn)化了�(shù)�(jù)管理流程�
7. 支持異步讀/寫操�,提高了靈活性和易用性�
8. 可靠的抗干擾性能,確保在�(fù)雜電磁環(huán)境中�(wěn)定運(yùn)行�
IDT71256S35TDB廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(wǎng)�(luò)�(shè)備中的高速緩存和�(shù)�(jù)緩沖�
2. 通信系統(tǒng)中的臨時(shí)�(shù)�(jù)存儲(chǔ)和處��
3. 圖像處理�(lǐng)域的幀緩沖和像�?cái)?shù)�(jù)暫存�
4. �(yī)療設(shè)備中的實(shí)�(shí)�(shù)�(jù)采集和分��
5. 嵌入式控制系�(tǒng)的程序存�(chǔ)和變量緩��
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的狀�(tài)信息保存�
7. 游戲�(shè)備和其他消費(fèi)電子�(chǎn)品中的圖形處理支持�
IDT71V256SA35TDB, IS61WV51216BLL-10TI