IDT71256S100DB是一款由Integrated Device Technology (IDT)生產(chǎn)的高�、低功耗靜�(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)�(SRAM),適用于需要高性能和可靠性的�(yīng)用。該芯片采用了CMOS的功耗特�,廣泛應(yīng)用于通信、網(wǎng)�(luò)�(shè)�、工�(yè)控制以及消費(fèi)類電子產(chǎn)品中�
IDT71256系列是同步Burst SRAM,支持突�(fā)模式操作,允許連續(xù)地址�(shù)�(jù)傳輸,從而顯著提高系�(tǒng)性能。其�(shè)�(jì)注重高頻率運(yùn)行環(huán)境下的穩(wěn)定�,同�(shí)提供靈活的時(shí)鐘控制功��
容量�512K x 16�
工作電壓(Vcc)�2.5V ± 0.1V
待機(jī)電流�20mA(典型值)
工作電流�300mA(最大值)
訪問�(shí)間:10ns
�(shí)鐘頻率:最�100MHz
封裝類型�100引腳TQFP
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
�(shù)�(jù)保持�(shí)間:無限�
IDT71256S100DB具備以下�(guān)鍵特性:
1. 高速操作:支持高達(dá)100MHz的工作頻率,能夠滿足�(xiàn)代高性能系統(tǒng)的時(shí)序要��
2. 突發(fā)模式:支持突�(fā)讀寫操作,允許連續(xù)地址的數(shù)�(jù)訪問而無需額外的等待周�,極大地提高了數(shù)�(jù)吞吐��
3. 低功耗:采用先�(jìn)的CMOS工藝,確保在高頻工作�(shí)仍然維持較低的功耗水��
4. 同步接口:所有輸入輸出信�(hào)均與系統(tǒng)�(shí)鐘同�,簡(jiǎn)化了與外部控制器或處理器的連接�
5. 靜態(tài)存儲(chǔ):無需刷新操作,保證數(shù)�(jù)的長(zhǎng)期可靠��
6. 工業(yè)�(jí)溫度范圍:適�(yīng)惡劣�(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)�,適合各種工�(yè)及商�(yè)�(yīng)用�
IDT71256S100DB主要�(yīng)用于�(duì)速度和可靠性要求較高的�(chǎng)景:
1. �(wǎng)�(luò)通信�(shè)備:如路由器、交換機(jī)等,用于高速緩存臨�(shí)�(shù)�(jù)�
2. 圖形處理單元:用作幀緩沖區(qū)或其他中間存�(chǔ)需��
3. �(shù)字信�(hào)處理�(DSP):作為本地內(nèi)存以加速指令執(zhí)行和�(shù)�(jù)處理�
4. 工業(yè)自動(dòng)化:在實(shí)�(shí)控制系統(tǒng)中提供快速響�(yīng)能力�
5. 消費(fèi)電子:如高端游戲�(jī)或多媒體�(shè)備中的臨�(shí)�(shù)�(jù)存儲(chǔ)�
此外,它還可用于任何需要大容量、快速訪問SRAM的應(yīng)用場(chǎng)��
IDT71V256A10NFB, CY7C1041DV33, IS61LV25616AL