IDT70V28L20PF是一款由Integrated Device Technology (IDT) 公司推出的雙端口同步靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM�。該芯片具有高可靠�、低功耗和快速訪�(wèn)�(shí)間的特點(diǎn),適用于需要高性能�(shù)�(jù)存儲(chǔ)和傳�?shù)�?yīng)用場(chǎng)��
IDT70V28L20PF采用CMOS工藝制�,支持同步讀�(xiě)操作,并提供兩種�(dú)立的端口供用戶同�(shí)訪問(wèn)。這種雙端口設(shè)�(jì)使得該芯片非常適合用于多處理器系�(tǒng)或需要實(shí)�(shí)�(shù)�(jù)交換的場(chǎng)��
類型:雙端口同步SRAM
容量�256K x 18� (4.6Mb)
核心電壓�3.3V
I/O電壓�3.3V/5V
訪問(wèn)�(shí)間:10ns
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
封裝類型:TFBGA
引腳�(shù)�144
�(shù)�(jù)寬度�18�
IDT70V28L20PF的主要特性包括:
1. 高速同步接�,支持高�(dá)200MHz的操作頻��
2. 雙端口架�(gòu)允許兩�(gè)�(dú)立控制器同時(shí)訪問(wèn)同一存儲(chǔ)器區(qū)域,從而提高系�(tǒng)的整體性能�
3. 提供多種工作模式,包括標(biāo)�(zhǔn)讀�(xiě)、廣播寫(xiě)入和共享仲裁等功��
4. 支持片選信號(hào),便于在�(fù)雜系�(tǒng)中�(jìn)行多芯片管理�
5. �(nèi)置奇偶校�(yàn)功能,確保數(shù)�(jù)完整��
6. 超低功耗待�(jī)模式,減少系�(tǒng)能��
7. 工業(yè)�(jí)溫度范圍,適合各種惡劣環(huán)境下的應(yīng)��
8. �(qiáng)大的抗靜電能力(ESD),提高�(chǎn)品的可靠性和�(wěn)定��
IDT70V28L20PF廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(wǎng)�(luò)通信�(shè)�,如路由�、交換機(jī)�,用于緩存數(shù)�(jù)包以�(shí)�(xiàn)高速轉(zhuǎn)�(fā)�
2. 嵌入式系�(tǒng)中的臨時(shí)�(shù)�(jù)存儲(chǔ),例如工�(yè)控制、醫(yī)療設(shè)備和消費(fèi)電子�
3. 多核處理器平�(tái),為不同CPU核心提供共享�(nèi)存空��
4. �(shí)�(shí)圖像處理和視頻編輯系�(tǒng),用于緩沖幀�(shù)�(jù)�
5. �(cè)試與�(cè)�?jī)x�,如示波器和頻譜分析儀,用于暫存采集到的數(shù)�(jù)�
IDT72V28L20PF, IDT70V28S20PF