IDT6116SA55DB是集成雙通道DDR3寄存器芯�,用于服�(wù)器、存�(chǔ)系統(tǒng)和其他高性能�(jì)算平�(tái)中的�(nèi)存接口應(yīng)�。該器件支持DDR3�(biāo)�(zhǔn),并具有信號(hào)�(diào)節(jié)和時(shí)鐘分配功�,以提高�(shù)�(jù)完整性和系統(tǒng)可靠��
此寄存器主要用于�(yōu)化內(nèi)存子系統(tǒng)的性能,特別是在需要高帶寬和低延遲的場(chǎng)景中�
工作電壓�1.5V
最大工作頻率:1600MHz
I/O引腳�(shù)�48
封裝類型:TQFP
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
供電電流�20mA
IDT6116SA55DB提供�(qiáng)大的信號(hào)�(diào)理能�,確保在高速運(yùn)行下�(shù)�(jù)傳輸?shù)姆€(wěn)定�。其�(nèi)置的�(shí)鐘緩沖器能夠降低抖動(dòng)并改善信�(hào)�(zhì)�。此�,它支持DIMM(雙列直插式�(nèi)存模塊)架構(gòu),可兼容多種�(nèi)存配��
該芯片還具備低功耗特�,符合現(xiàn)代節(jié)能設(shè)�(jì)要求。通過增強(qiáng)的錯(cuò)誤檢�(cè)與校正機(jī)�,可以顯著減少系�(tǒng)誤碼�,從而提升整體系�(tǒng)性能和穩(wěn)定性�
IDT6116SA55DB廣泛�(yīng)用于企業(yè)�(jí)服務(wù)�、網(wǎng)�(luò)�(shè)備、存�(chǔ)陣列以及高性能�(jì)算平�(tái)等場(chǎng)�。這些�(lǐng)域通常�(duì)�(nèi)存吞吐量和穩(wěn)定性有較高要求,因此該芯片成為理想選擇�
此外,在需要處理大量并�(fā)任務(wù)或大�(guī)模數(shù)�(jù)集的�(huán)境中,例如云�(jì)算數(shù)�(jù)中心或人工智能訓(xùn)練平�(tái),這款寄存器也�(fā)揮著重要作用�
IDT6116SA55CB, IDT6116SA55MB