IDM02G120C5是意法半�(dǎo)體(STMicroelectronics)推出的一款碳化硅(SiC)MOSFET功率晶體管。該器件采用先�(jìn)的SiC技�(shù)制�,具有高效率、高頻開(kāi)�(guān)和高溫工作能力等�(yōu)�(shì),適用于工業(yè)電源、電�(dòng)汽車(chē)充電�、太�(yáng)能逆變器以及其他需要高效能功率�(zhuǎn)換的�(chǎng)合�
這款芯片封裝為T(mén)O-247-3,支持高�(dá)1200V的阻斷電�,并且其�(dǎo)通電阻非常低,有助于降低功率損耗并提升整體系統(tǒng)性能�
額定電壓�1200V
額定電流�2A
�(dǎo)通電阻(RDS(on)):160mΩ(典型值,25°C�(shí)�
柵極電荷�12nC(最大值)
�(kāi)�(guān)頻率:最高可�(dá)1MHz
工作溫度范圍�-55°C�175°C
封裝形式:TO-247-3
IDM02G120C5采用了先�(jìn)的SiC材料技�(shù),相比傳�(tǒng)硅基MOSFET具有顯著的優(yōu)�(shì)。其主要特性包括:
1. 高電壓耐受能力�1200V的額定電壓使其能夠適�(yīng)高壓�(yīng)用環(huán)�,例如電�(dòng)�(chē)充電樁或工業(yè)�(jí)電源供應(yīng)�
2. 超低�(dǎo)通電阻:僅為160mΩ,有效降低了功率損�,提升了效率�
3. 快速開(kāi)�(guān)性能:支持高�(dá)1MHz的開(kāi)�(guān)頻率,可以減少無(wú)源元件體積,從而優(yōu)化設(shè)�(jì)尺寸�
4. 寬溫工作范圍:從-55°C�175°C的工作溫度區(qū)間保證了器件在極端條件下的可靠性�
5. 高熱�(wěn)定性:得益于SiC材料的優(yōu)異熱傳導(dǎo)性能,此器件能夠在較高溫度下持續(xù)�(wěn)定運(yùn)��
IDM02G120C5適用于多種對(duì)效率和可靠性要求較高的�(chǎng)景,具體�(yīng)用包括:
1. 電動(dòng)�(chē)充電�(shè)備:由于其高效的功率�(zhuǎn)換能力和寬泛的工作溫度范�,非常適合用于電�(dòng)�(chē)直流快速充電樁�
2. 工業(yè)電源供應(yīng)器:在大功率工業(yè)電源中,該器件可以幫助實(shí)�(xiàn)更小體積、更高效率的�(shè)�(jì)�
3. 太陽(yáng)能逆變器:利用其快速開(kāi)�(guān)特性和低功耗特�(diǎn),可提高太陽(yáng)能發(fā)電系�(tǒng)的轉(zhuǎn)化效��
4. 不間斷電源(UPS):憑借出色的可靠性和耐用�,適合應(yīng)用于�(shù)�(jù)中心或其他關(guān)鍵設(shè)施中的不間斷電源系統(tǒng)�
5. 電機(jī)�(qū)�(dòng)器:在需要高頻工作的電機(jī)控制電路�,該器件提供了卓越的性能表現(xiàn)�
C2M0012120D, STPSC120N120C3