IAUT300N08S5N012 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的高電子遷移率晶體管 (HEMT),專為高�、高效能�(yīng)用而設(shè)�(jì)。該器件采用了先�(jìn)� GaN-on-Silicon 技�(shù),提供卓越的開關(guān)性能和低�(dǎo)通電阻特性,適用于工�(yè)級和商業(yè)級電源轉(zhuǎn)換及射頻功率放大�(lǐng)��
這款芯片具備出色的耐壓能力與低損耗特�,使其在各種高頻電力電子系統(tǒng)中表�(xiàn)出色,例� DC-DC �(zhuǎn)換器、逆變器以及電�(jī)�(qū)�(dòng)等場��
型號:IAUT300N08S5N012
類型:增�(qiáng)型場效應(yīng)晶體� (E-Mode HEMT)
材料:氮化鎵 (GaN)
漏源電壓 (Vds)�800 V
連續(xù)漏極電流 (Id)�300 A
�(dǎo)通電� (Rds(on))�1.2 mΩ
柵極電荷 (Qg)�45 nC
輸入電容 (Ciss)�3500 pF
反向恢復(fù)�(shí)� (trr)�< 50 ns
工作�(jié)溫范圍:-55°C � +175°C
IAUT300N08S5N012 的主要特�(diǎn)包括�
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)) 和柵極電� (Qg),確保了高效的開�(guān)操作并減少傳�(dǎo)損耗�
2. 高速開�(guān)性能,支持高�(dá) MHz 級別的開�(guān)頻率�
3. 具備�(qiáng)大的電流承載能力和耐高壓特�,適合高功率密度的應(yīng)用環(huán)��
4. �(nèi)置優(yōu)化的 ESD 保護(hù)電路,提升了器件的魯棒��
5. 小巧的封裝形式(� D2PAK � TO-247),便于集成到緊湊型�(shè)�(jì)��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠性高�
7. 可靠的熱性能,即使在高溫�(huán)境下也能�(wěn)定運(yùn)行�
IAUT300N08S5N012 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 高效 DC-DC �(zhuǎn)換器
2. 太陽能逆變�
3. 電動(dòng)汽車 (EV) 和混合動(dòng)力汽� (HEV) 的車載充電器及電�(jī)�(qū)�(dòng)系統(tǒng)
4. 工業(yè)用開�(guān)電源 (SMPS)
5. �(shù)�(jù)中心服務(wù)器電�
6. 高頻諧振變換�
7. 無線電能傳輸�(shè)�
8. 射頻功率放大�
其高性能和高效率使得它成為現(xiàn)代電力電子系�(tǒng)中的理想選擇�
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