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IAUT300N08S5N012 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/10 12:10:31 查看 閱讀�20

IAUT300N08S5N012 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的高電子遷移率晶體管 (HEMT),專為高�、高效能�(yīng)用而設(shè)�(jì)。該器件采用了先�(jìn)� GaN-on-Silicon 技�(shù),提供卓越的開關(guān)性能和低�(dǎo)通電阻特性,適用于工�(yè)級和商業(yè)級電源轉(zhuǎn)換及射頻功率放大�(lǐng)��
  這款芯片具備出色的耐壓能力與低損耗特�,使其在各種高頻電力電子系統(tǒng)中表�(xiàn)出色,例� DC-DC �(zhuǎn)換器、逆變器以及電�(jī)�(qū)�(dòng)等場��

參數(shù)

型號:IAUT300N08S5N012
  類型:增�(qiáng)型場效應(yīng)晶體� (E-Mode HEMT)
  材料:氮化鎵 (GaN)
  漏源電壓 (Vds)�800 V
  連續(xù)漏極電流 (Id)�300 A
  �(dǎo)通電� (Rds(on))�1.2 mΩ
  柵極電荷 (Qg)�45 nC
  輸入電容 (Ciss)�3500 pF
  反向恢復(fù)�(shí)� (trr)�< 50 ns
  工作�(jié)溫范圍:-55°C � +175°C

特�

IAUT300N08S5N012 的主要特�(diǎn)包括�
  1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)) 和柵極電� (Qg),確保了高效的開�(guān)操作并減少傳�(dǎo)損耗�
  2. 高速開�(guān)性能,支持高�(dá) MHz 級別的開�(guān)頻率�
  3. 具備�(qiáng)大的電流承載能力和耐高壓特�,適合高功率密度的應(yīng)用環(huán)��
  4. �(nèi)置優(yōu)化的 ESD 保護(hù)電路,提升了器件的魯棒��
  5. 小巧的封裝形式(� D2PAK � TO-247),便于集成到緊湊型�(shè)�(jì)��
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠性高�
  7. 可靠的熱性能,即使在高溫�(huán)境下也能�(wěn)定運(yùn)行�

�(yīng)�

IAUT300N08S5N012 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 高效 DC-DC �(zhuǎn)換器
  2. 太陽能逆變�
  3. 電動(dòng)汽車 (EV) 和混合動(dòng)力汽� (HEV) 的車載充電器及電�(jī)�(qū)�(dòng)系統(tǒng)
  4. 工業(yè)用開�(guān)電源 (SMPS)
  5. �(shù)�(jù)中心服務(wù)器電�
  6. 高頻諧振變換�
  7. 無線電能傳輸�(shè)�
  8. 射頻功率放大�
  其高性能和高效率使得它成為現(xiàn)代電力電子系�(tǒng)中的理想選擇�

替代型號

IAUT200N08S5N010
  IAUT400N08S5N015

iaut300n08s5n012推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
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  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)

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