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HZM11NB2TR 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/27 16:21:04 查看 閱讀�16

HZM11NB2TR是一款高性能的N溝道增強(qiáng)型MOSFET晶體�,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載切換等�(lǐng)�。該器件采用TO-252封裝形式,具有低�(dǎo)通電阻、高擊穿電壓和快速開�(guān)速度等特�,適合需要高效能和小體積�(shè)�(jì)的應(yīng)用場(chǎng)��
  該MOSFET的主要特�(diǎn)是其�(yōu)化的�(dǎo)通電阻(Rds(on))與柵極電荷(Qg�,能夠在高頻工作條件下保持較低的功�,并且具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�2.8A
  脈沖漏極電流�11A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):45mΩ(典型�,Vgs=10V�(shí)�
  柵極電荷�9nC
  總功耗:1.1W
  工作溫度范圍�-55℃至+150�

特�

1. 極低的導(dǎo)通電�,能夠有效降低功率損��
  2. 高速開�(guān)性能,適用于高頻�(yīng)��
  3. 小尺寸TO-252封裝,節(jié)省PCB空間�
  4. 良好的熱�(wěn)定�,確保在高溫�(huán)境下仍能可靠�(yùn)��
  5. 支持高電流處理能力,滿足多種功率需��
  6. 提供了優(yōu)異的電氣特性和抗干擾能力,適應(yīng)�(fù)雜的工作�(huán)��

�(yīng)�

1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)��
  2. 電池管理系統(tǒng)中的�(fù)載切��
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和控制電��
  4. LED照明�(qū)�(dòng)電路�
  5. 各類消費(fèi)電子�(shè)備中的電源管��
  6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的信�(hào)隔離和功率放��

替代型號(hào)

IRFZ44N, AO3400, FDP5570N

hzm11nb2tr推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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