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HYB18TC512160BF-3S 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/21 19:37:42 查看 閱讀：13

HYB18TC512160BF-3S 是一款由 Hynix（現(xiàn)代半導(dǎo)體）生產(chǎn)的 512Mbit（64M x 8）同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SDRAM）。該芯片采用 BGA 封裝，具有高密度、高速度和低功耗的特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于需要大容量?jī)?nèi)存的嵌入式系統(tǒng)、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備和工業(yè)控制領(lǐng)域。
　　該型號(hào)中的“512160”代表了其存儲(chǔ)容量為 512 兆位（Mbit），組織形式為 64M x 8。工作電壓通常為 3.3V，并支持 SDRAM 的典型時(shí)序特性。

參數(shù)

類(lèi)型：SDRAM
　　容量：512 Mbit (64M x 8)
　　接口：同步
　　封裝：BGA
　　核心電壓：3.3V
　　數(shù)據(jù)寬度：8 位
　　速度等級(jí)：PC100/PC133兼容
　　引腳數(shù)：256
　　工作溫度范圍：-40°C 至 +85°C
　　訪問(wèn)時(shí)間：最大 7ns
　　封裝大�。�36 mm x 36 mm

特性

HYB18TC512160BF-3S 提供高性能的存儲(chǔ)解決方案，支持同步突發(fā)模式傳輸以提高數(shù)據(jù)吞吐量。
　　1. 高速性能：支持 PC100 和 PC133 標(biāo)準(zhǔn)，能夠在高達(dá) 133MHz 的總線頻率下運(yùn)行。
　　2. 大容量：?jiǎn)涡酒纯商峁?512Mbit 的存儲(chǔ)空間，適合需要較大內(nèi)存的應(yīng)用。
　　3. 突發(fā)長(zhǎng)度可配置：支持多種突發(fā)長(zhǎng)度設(shè)置，能夠根據(jù)系統(tǒng)需求優(yōu)化性能。
　　4. 功耗管理：具備省電模式，在待機(jī)狀態(tài)下可以顯著降低功耗。
　　5. 工業(yè)級(jí)溫度范圍：能夠在 -40°C 至 +85°C 的環(huán)境下穩(wěn)定工作，適用于惡劣環(huán)境下的應(yīng)用。

應(yīng)用

HYB18TC512160BF-3S 主要用于需要大容量和高速數(shù)據(jù)處理能力的場(chǎng)景，包括但不限于：
　　1. 嵌入式系統(tǒng)：如路由器、交換機(jī)等網(wǎng)絡(luò)設(shè)備中的主存儲(chǔ)器。
　　2. 工業(yè)控制：在實(shí)時(shí)控制系統(tǒng)中作為程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的擴(kuò)展。
　　3. 圖形處理：支持圖形加速卡或其他需要大量臨時(shí)數(shù)據(jù)緩存的應(yīng)用。
　　4. 通信設(shè)備：如基站控制器和其他需要快速數(shù)據(jù)訪問(wèn)的通信模塊。
　　5. 醫(yī)療設(shè)備：用于成像系統(tǒng)和其他需要高性能存儲(chǔ)的醫(yī)療儀器。

替代型號(hào)

HYB39T16200B-7, IS42S16400D-7TLI, MT48LC16M4A2TG-7E

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