HY62WT08081E-DG70C 是一款由 Hynix(現(xiàn)代半�(dǎo)體)生產(chǎn)的靜�(tài)隨機存取存儲器(SRAM)。該芯片采用 CMOS 工藝制�,具有低功耗和高穩(wěn)定性的特點。其主要功能是提供快速的�(shù)�(jù)讀寫能力,適用于需要頻繁訪問數(shù)�(jù)的應(yīng)用場��
該芯片的容量� 512K x 16 �,總存儲容量� 8Mbit。它支持同步和異步操作模�,并且具備高速數(shù)�(jù)傳輸?shù)哪芰Α?/p>
容量�512K x 16 �
總存儲容量:8Mbit
工作電壓�3.3V � 2.5V
�(shù)�(jù)訪問時間�10ns/15ns/20ns
封裝類型:TQFP-48
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
I/O 引腳�(shù)�48
�(shù)�(jù)寬度�16 �
1. 高速性能:支� 10ns 的快速數(shù)�(jù)訪問時間,滿足實時處理需求�
2. 低功耗設(shè)計:采用先進的 CMOS 技�(shù),降低整體功��
3. 多種工作模式:支持同步和異步操作,便于靈活應(yīng)��
4. 高可靠性:�(jīng)過嚴(yán)格測�,確保在工業(yè)級溫度范圍內(nèi)�(wěn)定運��
5. 易于集成:標(biāo)�(zhǔn) TQFP 封裝,方� PCB �(shè)計與焊接�
6. �(shù)�(jù)保持功能:即使在電源�(guān)閉時也能通過外部電池維持?jǐn)?shù)�(jù)�
HY62WT08081E-DG70C 主要�(yīng)用于需要高性能和大容量存儲的場�,例如:
1. 工業(yè)自動化控制系�(tǒng)�
2. �(yī)療設(shè)備中的數(shù)�(jù)緩存模塊�
3. �(wǎng)�(luò)通信�(shè)�,如路由器和交換��
4. 嵌入式系�(tǒng)中的臨時�(shù)�(jù)存儲�
5. 測試測量儀器的�(shù)�(jù)緩沖區(qū)�
6. 圖形顯示控制器中的幀緩沖存儲�
7. 游戲機和其他消費電子�(chǎn)品的高速緩存區(qū)��
HY62WT08081B-DG70C
HY62WT08081E-DG70B
IS61WV51216BLL-15
AS6C1008