HY57V281620FTP-6 是一款由 Hynix(現(xiàn)代半�(dǎo)體)生產(chǎn)� 32Mbit�4Mx8)異步靜�(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM�。該芯片采用 CMOS 工藝制�,具有低功耗和高穩(wěn)定性的特點(diǎn)。它廣泛�(yīng)用于需要高速數(shù)�(jù)讀�(xiě)、臨�(shí)�(shù)�(jù)存儲(chǔ)以及系統(tǒng)緩沖的應(yīng)用場(chǎng)�,例如網(wǎng)�(luò)�(shè)�、工�(yè)控制、通信�(shè)備以及其他高性能�(jì)算領(lǐng)��
這款 SRAM 芯片的封裝形式為 TQFP-64(薄型四方扁平封裝),引腳間距為 0.8mm,符合表面貼裝技�(shù)(SMT)的要求,適合現(xiàn)代化、自�(dòng)化的生產(chǎn)流程�
容量�32Mbit
組織�(jié)�(gòu)�4M x 8
工作電壓�3.3V � 5V
訪問(wèn)�(shí)間:10ns/15ns
封裝形式:TQFP-64
引腳間距�0.8mm
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
I/O �(jié)�(gòu):三�(tài)輸出
工藝類型:CMOS
�(shù)�(jù)寬度�8�
HY57V281620FTP-6 具有以下主要特性:
1. 高速性能:其訪問(wèn)�(shí)間為 10ns � 15ns,能夠滿足大多數(shù)高速數(shù)�(jù)處理需��
2. 多電壓支持:兼容 3.3V � 5V 的工作電�,增加了�(shè)�(jì)的靈活��
3. CMOS 技�(shù):采用先�(jìn)� CMOS 制造工�,降低了功耗并提高了可靠��
4. 三態(tài)輸出:支� I/O 端口的三�(tài)功能,便于與多芯片系�(tǒng)集成�
5. 寬溫度范圍:可在 -40°C � +85°C 的工�(yè)�(jí)溫度范圍�(nèi)正常工作,適用于各種�(huán)境條��
6. 高密度存�(chǔ):提供了高達(dá) 32Mbit 的存�(chǔ)容量,滿足大容量�(shù)�(jù)緩存的需��
7. 表面貼裝封裝:使� TQFP-64 封裝,支持自�(dòng)化貼片工�,提升了生產(chǎn)效率�
HY57V281620FTP-6 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(wǎng)�(luò)�(shè)備:如路由器、交換機(jī)等需要高速緩存的�(shè)��
2. 工業(yè)控制:用于實(shí)�(shí)控制系統(tǒng)中的�(shù)�(jù)緩存和臨�(shí)存儲(chǔ)�
3. 通信�(shè)備:例如基站控制器和其他通信終端�(shè)��
4. 嵌入式系�(tǒng):作為嵌入式處理器的外部存儲(chǔ)器擴(kuò)�,提供快速的�(shù)�(jù)讀�(xiě)能力�
5. �(cè)試與�(cè)量:在示波器、信�(hào)�(fā)生器等測(cè)試儀器中用作波形存儲(chǔ)和處理緩存�
6. 圖形處理:支持圖形加速卡和視頻處理設(shè)備的幀緩沖區(qū)功能�
由于其高性能和穩(wěn)定性,HY57V281620FTP-6 成為許多�(duì)速度和可靠性要求較高的�(yīng)用的理想選擇�
HY57V281620BFTP-6
HY57V281620FTP-7
IS61LV25616AL-10TI
CY7C1041V33-10SC