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HY27UT088G2M-TPCB 發(fā)布時間 時間�2025/5/19 11:50:31 查看 閱讀�25

HY27UT088G2M-TPCB 是一款由 Hynix(海力士)生�(chǎn)� NAND Flash 存儲芯片。該芯片主要用于需要大容量�(shù)�(jù)存儲的應(yīng)用場景,例如固態(tài)硬盤(SSD�、嵌入式�(shè)�、消費類電子�(chǎn)品等。它采用先�(jìn)的制程工藝制造,具備高密�、低功耗和高性能的特�,適用于對數(shù)�(jù)讀寫速度和可靠性要求較高的�(yīng)用環(huán)��
  該型號中的具體含義如下:
  HY27 表示 Hynix 的產(chǎn)品系�;UT088 表示其內(nèi)部結(jié)�(gòu)與容量標(biāo)�,對�(yīng) 8GB 容量;G2M 表示多層單元(MLC)技�(shù);TPCB 則是封裝類型與工作條件的代號�

參數(shù)

容量�8GB
  存儲類型:NAND Flash
  技�(shù)類型:MLC (Multi-Level Cell)
  接口類型:Toggle Mode 2.0
  工作電壓�1.8V
  �(shù)�(jù)傳輸速率:最� 200MB/s
  封裝形式:BGA
  工作溫度范圍�-40°C � +85°C
  引腳�(shù)�169

特�

HY27UT088G2M-TPCB 具有以下顯著特性:
  1. 高密度存儲能力:提供 8GB 的存儲空間,適合需要較大存儲容量的�(yīng)��
  2. 多層單元(MLC)技�(shù):每個存儲單元可以存� 2 位數(shù)�(jù),相比單層單元(SLC)技�(shù)具有更高的存儲密�,但寫入壽命略低� SLC�
  3. Toggle Mode 2.0 接口:支持高速數(shù)�(jù)傳輸,提供高�(dá) 200MB/s 的讀寫速度,適用于對性能要求較高的場景�
  4. 低功耗設(shè)計:通過�(yōu)化電路結(jié)�(gòu)和先�(jìn)的制程工�,有效降低芯片在運行過程中的能耗�
  5. 可靠性保障:�(nèi)� ECC(錯誤檢查與糾正)功�,確保數(shù)�(jù)存儲的準(zhǔn)確性和完整��
  6. 廣泛的工作溫度范圍:能夠� -40°C � +85°C 的環(huán)境下�(wěn)定運�,適�(yīng)多種工作條件�

�(yīng)�

HY27UT088G2M-TPCB 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 固態(tài)硬盤(SSD):作為 SSD 的核心存儲組�,提供大容量和高性能的數(shù)�(jù)存儲能力�
  2. 嵌入式系�(tǒng):用于工�(yè)控制、醫(yī)療設(shè)備、安防監(jiān)控等�(lǐng)域的嵌入式設(shè)備中,滿足其對可靠性和�(wěn)定性的需��
  3. 消費類電子產(chǎn)品:如平板電�、智能電視、游戲機(jī)�,提供高效的存儲解決方案�
  4. 車載電子:應(yīng)用于汽車�(dǎo)航系�(tǒng)、信息娛樂系�(tǒng)等需要長時間�(wěn)定運行的�(huán)境中�
  5. �(wǎng)�(luò)通信�(shè)備:為路由器、交換機(jī)等網(wǎng)�(luò)�(shè)備提供大容量�(shù)�(jù)緩存和存儲支��

替代型號

HY27UF088G2M-TPCB
  HY27UT084G2M-TPCB
  K9KCGGACPM-BK51

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