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HY27US08121A-TPCB 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/4/25 14:23:30 查看 閱讀：36

HY27US08121A-TPCB是由Hynix（海力士）生產(chǎn)的一款NAND閃存芯片。該芯片主要應(yīng)用于嵌入式系統(tǒng)、消費(fèi)類電子設(shè)備以及數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域，提供大容量的非易失性存儲(chǔ)解決方案。
　　這款芯片采用先進(jìn)的制造工藝，具有高可靠性、快速讀寫速度和低功耗的特點(diǎn)，廣泛用于需要高效數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和管理的應(yīng)用場(chǎng)景。

參數(shù)

容量：1Gb
　　接口類型：8位NAND Flash接口
　　工作電壓Vcc：2.7V~3.6V
　　工作電壓VccQ：1.7V~1.9V
　　封裝形式：TSOP48
　　數(shù)據(jù)保留時(shí)間：10年
　　擦寫次數(shù)：100,000次
　　工作溫度范圍：-40℃~+85℃

特性

HY27US08121A-TPCB具備以下顯著特性：
　　1. 高密度存儲(chǔ)：?jiǎn)晤w芯片容量達(dá)到1Gb，適合需要較大存儲(chǔ)空間的應(yīng)用。
　　2. 快速性能：支持高速讀寫操作，滿足現(xiàn)代設(shè)備對(duì)數(shù)據(jù)傳輸速率的要求。
　　3. 低功耗設(shè)計(jì)：在待機(jī)和工作狀態(tài)下均保持較低的功耗水平，延長(zhǎng)電池壽命。
　　4. 穩(wěn)定可靠：經(jīng)過嚴(yán)格的測(cè)試與驗(yàn)證，確保在各種環(huán)境下都能穩(wěn)定運(yùn)行。
　　5. 小型化封裝：采用TSOP48封裝，節(jié)省PCB板空間，便于集成到緊湊型設(shè)計(jì)中。

應(yīng)用

HY27US08121A-TPCB適用于多種電子設(shè)備和系統(tǒng)，包括但不限于：
　　1. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品：如數(shù)碼相機(jī)、MP3播放器、便攜式媒體播放器等。
　　2. 嵌入式系統(tǒng)：工業(yè)控制、網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)終端等。
　　3. 數(shù)據(jù)記錄設(shè)備：行車記錄儀、監(jiān)控?cái)z像頭等需要長(zhǎng)時(shí)間存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的設(shè)備。
　　4. 手持設(shè)備：智能手機(jī)、平板電腦等移動(dòng)終端的輔助存儲(chǔ)單元。

替代型號(hào)

HY27US08421A-TPCB
　　K9F5608U0C-TCK0
　　MT29F1G08AACWP

hy27us08121a-tpcb推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

hy27us08121a-tpcb參數(shù)

  • 封裝類型:TSOP
  • 針腳數(shù):48
  • 分區(qū)尺寸:16Kbit
  • 器件標(biāo)號(hào):27
  • 存儲(chǔ)器容量:512Mbit
  • 存儲(chǔ)器電壓 Vcc:3.3V
  • 存???器類型:Flash, NAND
  • 存儲(chǔ)器配置:64M x 8b
  • 封裝類型:TSOP
  • 工作溫度敏:0°C
  • 工作溫度最高:70°C
  • 接口類型:Serial
  • 每頁:512Byte
  • 溫度范圍:商用
  • 電壓, Vcc:3.3V
  • 電源電壓 最大:3.6V
  • 電源電壓 最小:2.7V
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • 讀寫周期:2
  • 讀周期 tRC:50ns
  • 邏輯功能號(hào):HY27US08121