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HWD2138MTE 發(fā)布時間 時間�2025/5/20 15:31:50 查看 閱讀�17

HWD2138MTE是一款高性能的功率MOSFET晶體�,采用TO-252封裝形式。該器件主要用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動等�(yīng)用場合,具有低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力的特點�
  該MOSFET屬于N溝道增強型器件,其設(shè)計目標是提供高效的功率轉(zhuǎn)換性能,并且在高頻工作條件下依然保持良好的熱穩(wěn)定性和電氣特��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�18A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�4.5mΩ
  柵極電荷�17nC
  輸入電容�980pF
  輸出電容�220pF
  反向傳輸電容�180pF
  �(jié)溫范圍:-55℃至150�

特�

HWD2138MTE擁有較低的導(dǎo)通電�,從而減少了傳導(dǎo)損�,提高了整體效率。此�,其具備快速開�(guān)速度和低柵極電荷,使得它非常適合于高頻開�(guān)�(yīng)�。器件的高電流承載能力和堅固的設(shè)計確保了在苛刻環(huán)境下的可靠運行�
  該MOSFET還支持出色的熱性能,通過�(yōu)化的封裝�(shè)計能夠有效散�(fā)熱量。這使其成為需要長時間�(wěn)定工作的工業(yè)和汽車級�(yīng)用的理想選擇�

�(yīng)�

HWD2138MTE廣泛�(yīng)用于各種電力電子�(lǐng)域,包括但不限于以下場景�
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器
  3. 電機�(qū)動與控制
  4. 負載切換
  5. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
  6. 工業(yè)自動化設(shè)�
  由于其較高的電流承受能力和低�(dǎo)通電�,該器件特別適合于要求高效能和高可靠性的中低電壓�(yīng)用場景�

替代型號

IRFZ44N
  STP18NF06L
  FDP18N06L

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