HWD2138MTE是一款高性能的功率MOSFET晶體�,采用TO-252封裝形式。該器件主要用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動等�(yīng)用場合,具有低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力的特點�
該MOSFET屬于N溝道增強型器件,其設(shè)計目標是提供高效的功率轉(zhuǎn)換性能,并且在高頻工作條件下依然保持良好的熱穩(wěn)定性和電氣特��
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�18A
�(dǎo)通電阻(典型值)�4.5mΩ
柵極電荷�17nC
輸入電容�980pF
輸出電容�220pF
反向傳輸電容�180pF
�(jié)溫范圍:-55℃至150�
HWD2138MTE擁有較低的導(dǎo)通電�,從而減少了傳導(dǎo)損�,提高了整體效率。此�,其具備快速開�(guān)速度和低柵極電荷,使得它非常適合于高頻開�(guān)�(yīng)�。器件的高電流承載能力和堅固的設(shè)計確保了在苛刻環(huán)境下的可靠運行�
該MOSFET還支持出色的熱性能,通過�(yōu)化的封裝�(shè)計能夠有效散�(fā)熱量。這使其成為需要長時間�(wěn)定工作的工業(yè)和汽車級�(yīng)用的理想選擇�
HWD2138MTE廣泛�(yīng)用于各種電力電子�(lǐng)域,包括但不限于以下場景�
1. 開關(guān)模式電源(SMPS�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. 電機�(qū)動與控制
4. 負載切換
5. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
6. 工業(yè)自動化設(shè)�
由于其較高的電流承受能力和低�(dǎo)通電�,該器件特別適合于要求高效能和高可靠性的中低電壓�(yīng)用場景�
IRFZ44N
STP18NF06L
FDP18N06L