HVU358-2TRF是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于高頻開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器以及電機(jī)�(qū)�(dòng)等領(lǐng)域。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提升系�(tǒng)的效率和�(wěn)定��
這款芯片通過(guò)�(yōu)化的�(jié)�(gòu)�(shè)�(jì),在高溫�(huán)境下依然可以保持�(wěn)定的性能表現(xiàn),適用于�(duì)可靠性要求較高的工業(yè)和汽車電子領(lǐng)域�
型號(hào):HVU358-2TRF
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電�(VDS)�650V
最大柵源電�(VGS):�20V
最大持�(xù)漏極電流(ID)�12A
�(dǎo)通電�(RDS(on))�0.3Ω
功�(PD)�240W
工作溫度范圍(TJ)�-55� � +175�
封裝形式:TO-247
HVU358-2TRF具有以下顯著特性:
1. 高耐壓能力,最大漏源電壓可�(dá)650V,適合高壓應(yīng)用環(huán)��
2. 極低的導(dǎo)通電阻僅�0.3Ω,從而減少傳�(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
3. 快速開�(guān)特性,降低開關(guān)損�,支持高頻工作場(chǎng)景�
4. �(nèi)置ESD保護(hù)電路,提升芯片的抗靜電能��
5. 寬泛的工作溫度范�(-55℃至+175�),適�(yīng)惡劣�(huán)境下的運(yùn)行需求�
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛設(shè)�(jì)�
HVU358-2TRF廣泛�(yīng)用于各類高功率電子產(chǎn)品中,包括但不限于:
1. 開關(guān)電源(SMPS)和AC-DC適配��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器及逆變器�
3. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)和控制模��
4. 汽車電子中的啟動(dòng)與停止系�(tǒng)、電�(dòng)助力�(zhuǎn)�(EPS)��
5. 太陽(yáng)能光伏逆變器以及其他可再生能源�(shè)備�
其卓越的性能和可靠性使其成為這些�(lǐng)域的理想選擇�
HVU359-2TRF, IRFP260N, STP12NM65